[实用新型]具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池有效
| 申请号： | 201920487003.0 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN209658197U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张勇;李国庆;王晨光 | 申请（专利权）人： | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 44247 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹彦;胡朝阳<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电层 衬底 本实用新型 磷掺杂 薄层 负电 背金属电极 太阳能电池 串联电阻 导电特性 短路电流 金属电极 填充因子 向上设置 向下设置 电池片 钝化层 多晶 夹设 受光 背面 电池 | ||
1.一种具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，包括：N型衬底（1），其特征在于，所述N型衬底（1）的正面依次向上设置有P型扩散层（11）、SiO2层（12）、钝化层（13）和正金属电极（14），所述N型衬底的背面依次向下设置有遂穿SiO2层（21）、磷掺杂N型硅薄层（22）、第一透明导电层（23）和背金属电极（24），所述第一透明导电层（23）与磷掺杂N型硅薄层（22）之间夹设负电引导极（25）。
2.如权利要求1所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述正金属电极（14）与钝化层（13）之间设有SiN层（15）或第二透明导电层（16）。
3.如权利要求2所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述正金属电极（14）与钝化层（13）之间设置第二透明导电层（16）时，所述第二透明导电层（16）与钝化层（13）之间夹设正电引导极（17）。
4.如权利要求1所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述N型衬底（1）为N型单多晶硅片，所述N型单多晶硅片的厚度为150-300微米。
5.如权利要求3所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述正电引导极（17）和正金属电极（14）都为栅格状，并且所述正电引导极（17）和正金属电极（14）的图形大小形状相同、并且在铅锤方向重叠一致。
6.如权利要求1所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述P型扩散层（11）的电阻在50至100欧姆/□之间。
7.如权利要求1所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述遂穿SiO2层（21）厚度为在1~30纳米之间。
8.如权利要求1所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述SiO2层（12）的厚度在1到20纳米之间。
9.如权利要求1所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述钝化层（13）的材质为氧化铝和/或氮氧化硅。
10.如权利要求2所述的具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，其特征在于，所述第一透明导电层（23）和第二透明导电层（16）为ITO层或IWO层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
