[实用新型]一种半片光伏电池加工切片装置有效
| 申请号: | 201920465793.2 | 申请日: | 2019-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN209963074U | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
| 发明(设计)人: | 高拥刚;陈兵斌;孙召阳;潘慧强;叶遥;尚宁;李晖 | 申请(专利权)人: | 浙江创盛光能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 33246 浙江千克知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵卫康 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光伏电池 电池片 背栅 激光划片 半片 本实用新型 电池片隐裂 边缘位置 焊接过程 划片装置 加工装置 切片装置 加工台 切口器 折断 隔断 破片 加工 切割 预留 电池 优化 改进 | ||
本实用新型涉及光伏电池加工装置技术领域,具体是一种半片光伏电池加工切片装置,包括切口器、激光划片器,放置电池片的加工台,所述切口器用于对电池片带有背栅线的中间位置和边缘位置进行切口从而形成缺口隔断背栅线;本划片装置用于将未预留激光划片位置的光伏电池进行进一步的加工,既能够方便的对光伏电池进行切割分片,省去了手工折断步骤,又无需进行工艺上和设备上的优化改进,而且可以有效的避免半片电池片焊接过程中边缘部分的背栅线导致的电池片隐裂、破片等问题。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池加工装置技术领域,特别是一种半片光伏电池加工切片装置。
背景技术
目前,由于每个光伏电池片自身电阻比较大,因此由于自身电阻所消耗的功率也会比较大,即会造成比较大的功率损失,相应地,就会降低每个光伏电池片的输出功率,为了解决这个问题,现在比较常用的方法是将单个光伏电池切分为两个或两个以上的光伏电池片以降低电池单元模块电阻。
现在一般采用激光划片技术对光伏电池进行分片切割,但是现有的激光划片技术仅仅在光伏电池的硅片的表面制造一个深槽,然后以这个深槽为导引,通过人工手动折断的方式来进行切割后两个部分的分离。一般而言,电池片在受到外力以后,会沿着缺陷最严重的激光划出的深槽部分断裂和分离,不过这种方式很容易导致电池片的破裂。而且由于现有技术中的光伏电池并未预留激光划片位置,因此,在切割时,位于中间的背栅线在切割过程中被切断,形成的半片电池在边缘部分背栅线裸露。当利用半片电池进行串联连接时,需要对切割形成的半片电池进行焊接,焊接过程中边缘部分的背栅线容易导致电池片隐裂、破片等问题。
发明内容
本实用新型提供一种半片光伏电池加工切片装置,本切片装置用于对上述的未预留激光划片位置的光伏电池进行进一步的加工,既能够方便的对光伏电池进行切割分片,省去了手工折断步骤,又无需进行工艺上和设备上的优化改进,而且可以有效的避免半片电池片焊接过程中边缘部分的背栅线导致的电池片隐裂、破片等问题。
本实用新型实现以上目的的技术方案为:提供一种半片光伏电池加工切片装置,包括切口器、激光划片器,放置电池片的加工台,所述切口器用于对电池片带有背栅线的中间位置和边缘位置进行切口从而形成缺口隔断背栅线,每条背栅线的中间和边缘位置均进行切口,所述激光划片器用于将切口后的电池片从中间切割为两片。
优选的,所述切口器的切割件为由四刀片一体连接成的矩形口刀片。
优选的,所述缺口沿背栅线的宽度范围为3mm-5mm。
优选的,所述缺口沿激光划片线的长度范围为2mm-5mm。
优选的,所述加工台上设有对应于切口器切割位置的切割槽,所述切割槽长宽为切割出缺口的1.2倍。
优选的,所述加工台上还设有用于避免激光划损加工台的牺牲层。
优选的,所述牺牲层可为金属层、木质层、塑料层。
优选的,所述切口器设于气缸上,通过气缸控制切口器的升降。
本实用新型的有益效果:本切片装置用于将上述的未预留激光划片位置的光伏电池进行进一步的加工,既能够方便的对光伏电池进行切割分片,省去了手工折断步骤,又无需进行工艺上和设备上的优化改进,而且可以有效的避免半片电池片焊接过程中边缘部分的背栅线导致的电池片隐裂、破片等问题,具体如下,在未预留激光划片位置的光伏电池上标记一条激光划切线来辅助激光切割,并在背栅线、激光划片线的交叉处和电池片有背栅线的边缘采用切口器切割出缺口来避免切割后的半片电池焊接处有背栅线,然后采用激光划片器从激光划片线处切割,从而有效避免了焊接过程中边缘部分的背栅线导致的电池片隐裂、破片等问题。
附图说明
图1为本实用新型一种半片光伏电池加工切片装置的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





