[实用新型]一种装载金属基底制备石墨烯薄膜的样品托组件有效
申请号: | 201920315128.5 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN209890733U | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 蔡金明;侯元捷;蔡晓明 | 申请(专利权)人: | 广东墨睿科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/26;C01B32/186 |
代理公司: | 44450 东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 肖冬 |
地址: | 523000 广东省东莞市道滘镇万道路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属基 平面段 支撑主体 螺旋段 抵接块 固定块 连接件 石墨烯薄膜 侧面 制备技术领域 本实用新型 安装空间 呈螺旋状 固定金属 石墨烯 外侧面 样品托 沉积 基底 相切 制备 装载 相抵 支撑 | ||
本实用新型涉及石墨烯制备技术领域,具体涉及一种装载金属基底制备石墨烯薄膜的样品托组件。其包括:一个支撑主体,支撑主体包括两个平面段和一个螺旋段,两个平面段分别位于该螺旋段的两侧且与螺旋段的两端相切,两个平面段用于固定金属基底,螺旋段用于支撑金属基底;多个连接件,连接件包括一块抵接块、一块固定块和至少一块连接块,抵接块的一侧面与平面段的外侧面相抵,连接块的一端与抵接块固定连接,连接块的另一端与固定块连接,固定块与平面段的内侧面之间形成用于安装金属基底的安装空间。本技术方案通过设置支撑主体和连接件,将金属基底呈螺旋状的固定在支撑主体的内侧面,增大金属基底的使用面积,增大沉积的石墨烯薄膜面积。
技术领域
本实用新型涉及石墨烯制备技术领域,具体涉及一种装载金属基底制备石墨烯薄膜的样品托组件。
背景技术
目前石墨烯常见的粉体生产的方法为机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法,薄膜生产方法为化学气相沉积法。机械剥离法主要用于实验室制备高质量石墨烯样品,但是制备出来的石墨烯样品尺寸很小,效率极低;氧化还原法可以制备出大量石墨烯,但石墨烯质量偏差,制备的石墨烯为粉体;SiC外延生长法可以制备单晶石墨烯薄膜,但难以分离石墨烯和基底,且成本较高,制备条件苛刻。制备石墨烯薄膜的方法主要是化学气相沉积法,管式炉就是现有最常见的设备,但是限于加热源和石英管的管径大小,通常只能放入5-10cm宽的石英舟,在石英舟内的金属基底上制备石墨烯薄膜,因此限制了单次制备石墨烯薄膜的大小,对现有设备的空间利用率不高,制备效率较低。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本实用新型的目的在于提供一种装载金属基底制备石墨烯薄膜的样品托组件,该样品托组件可以装置大尺寸的金属基底,有利于提高石墨烯薄膜的产量,提高制备效率。
一种装载金属基底制备石墨烯薄膜的样品托组件,其包括:
一个支撑主体,所述支撑主体包括两个平面段和一个螺旋段,两个平面段分别位于该螺旋段的两侧且与螺旋段的两端相切,两个平面段用于固定金属基底,螺旋段用于支撑金属基底;
多个连接件,连接件包括一块抵接块、一块固定块和至少一块连接块,所述抵接块的一侧面与平面段的外侧面相抵,连接块的一端与抵接块固定连接,连接块的另一端与固定块连接,固定块与平面段的内侧面之间形成用于安装金属基底的安装空间。
进一步地,所述固定块倾斜设置,固定块远离连接块的一端与抵接块之间的距离较固定块与连接块的连接端与抵接块块之间的距离小,且固定块的外端部与平面段内侧面之间的间隙小于金属基底的厚度。
进一步地,所述固定块设有螺纹孔,螺纹孔连接有螺杆。
进一步地,抵接块外端部的端面设有插孔,连接件还包括竖直连接片,竖直连接片的两端分别插入位于平面段两侧的两个抵接块插孔,抵接块的侧面设有与插孔连通的固定孔,固定孔连接有固定件,固定件的端部与竖直连接片相抵。
进一步地,连接件包括一块抵接块、一块固定块和两块连接块,抵接块的长度与平面段的宽度相等,两块连接块分别连接于抵接块的两端。
本实用新型取得的有益效果:本技术方案通过设置支撑主体和连接件,将金属基底呈螺旋状的固定在支撑主体的内侧面,增大金属基底的使用面积,增大沉积的石墨烯薄膜面积。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的另一视角的结构示意图。
图3是本实用新型工作时的示意图。
图4是本实用新型连接件的一种结构示意图。
图5是本实用新型连接件的第二种结构示意图。
图6是本实用新型连接件的第三种结构示意图。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的