[实用新型]一种电感耦合等离子体蚀刻设备

说明书

本实用新型提供一种电感耦合等离子体蚀刻设备，包括处理腔室；源线圈，通过支撑装置设置在电介质盖的上方，用于将射频能量感应耦合至处理腔室中以在处理腔室中产生并维持等离子；衬底支撑装置，用于支撑所述衬底；其中，线圈的支撑装置包括支撑基座以及设置在支撑基座上的至少一个绝缘支撑柱，绝缘支撑柱以相对于支撑基座径向可调的方式设置在所述支撑基座上；并且绝缘支撑柱包括沿延伸至处理腔室外部的调整部件，调整部件调节绝缘支撑柱相对支撑基座的径向位置。通过上述调整部件，无需拆卸蚀刻设备，在蚀刻设备的外部即可实现源线圈位置的调整，节省了调整时间，操作简单，大大缩短源线圈位置的调整时间，提高机台的利用率。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，特别涉及一种电感耦合等离子体蚀刻设备。

背景技术

电感耦合等离子体蚀刻装置是在半导体和显示器制造工艺中用于进行蚀刻工艺或沉积工艺的装置。用于蚀刻工艺的电感耦合等离子体处理装置，与反应性离子蚀刻装置或电容耦合等离子体蚀刻装置相比，对金属的蚀刻效率相对优异。

在电感耦合等离子体设备中螺线管型射频线圈应用韭常广泛，通常螺线管型线圈安装在反应腔室的上方，通过给线圈输入射频功率使得在反应腔室内激发等离子体，线圈相对线圈基座的位置会对衬底的蚀刻均匀性产生影响。因此，在生产过程中需要根据衬底的蚀刻均匀性对线圈的位置进行调整。现有技术中调整线圈位置通常需要拆卸蚀刻设备，工序复杂，调整时间长，影响机台的利用率，也就相应地增加了生产成本。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种电感耦合等离子体蚀刻设备，该设备可以在无需拆卸设备的情况下，实现线圈位置的调整，满足蚀刻均匀性的要求。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种电感耦合等离子体蚀刻设备，包括：

处理腔室，上部具有电介质盖；

源线圈，通过线圈的支撑装置设置在所述电介质盖的上方，用于将射频能量感应耦合至所述处理腔室中以在所述处理腔室中产生并维持等离子；

其中，所述线圈的所述支撑装置包括支撑基座以及设置在所述支撑基座上的多个绝缘支撑柱，所述绝缘支撑柱以相对于所述支撑基座径向可调的方式设置在所述支撑基座上；并且

所述绝缘支撑柱包括延伸至所述处理腔室外部的调整部件以及位于所述处理腔室内部支撑所述源线圈的支撑柱部分，所述调整部件调节所述绝缘支撑柱相对所述支撑基座的径向位置。

优选地，所述刻蚀设备包括外壳，所述处理腔室及所述源线圈均设置在所述外壳内，所述调整部件沿所述绝缘支柱的径向向外延伸至所述壳体外部；

其中，所述外壳在与所述调整部件相对应的位置处设置有通孔，所述调整部件经所述通孔伸出所述外壳，并且以沿所述支撑基座的径向可移动的方式连接至所述外壳。

优选地，所述调整部件包括绝缘杆，所述外壳上的所述通孔的至少部分区域支撑所述绝缘杆，并且所述绝缘杆相对所述通孔可移动。

优选地，所述绝缘杆包括绝缘螺杆，所述绝缘螺杆与所述绝缘支撑柱可转动地连接，所述外壳中的所述通孔设置有与所述绝缘螺杆相配合的内螺纹，所述绝缘螺杆通过所述内螺纹与所述壳体连接。

优选地，所述调整部件延伸至所述外壳外部的末端具有操作部分。

优选地，所述操作部分包括楔形结构、多面体结构和圆柱形结构中的一种。

优选地，所述刻蚀设备还包括控制单元和驱动单元，；所述控制单元接收输入的调整信号，并将所述调整信号发送所述驱动单元；所述驱动单元与所述绝缘支撑柱连接；所述绝缘支撑柱与所述支撑基座之间设置有滑轨，所述绝缘支撑柱在所述驱动单元驱动下在所述滑轨上沿所述支撑基座的径向移动。