[实用新型]一种LED芯片以及LED显示屏

说明书

本实用新型提供一种LED芯片以及具有该LED芯片的LED显示屏，LED芯片包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，限制了光的传播方向，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出，使得光只从侧面逸出，取消了正面集中出光的方式，该LED芯片应用于LED显示屏，有效解决了LED显示屏的光斑问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光器件领域，具体涉及一种侧向出光的LED芯片以及具有该LED芯片的LED显示屏。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。作为目前全球最受瞩目的新一代光源，LED因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。

目前LED芯片主要用在照明和显示屏领域，LED显示屏相较于现有其他类型的显示屏，具有亮度高、寿命长以及视角大等特点。但是，LED的亮度较高也会出现明显的光斑，影响显示效果。

实用新型内容

为此，本实用新型提供一种侧面出光的LED芯片以及具有该LED芯片的LED显示屏，能够有效解决光斑的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种LED芯片，包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出。

进一步的，所述芯片本体为GaN基的芯片本体，包括：GaN外延层、电流扩散层、透光绝缘层、P电极以及N电极，所述GaN外延层包括衬底以及依次层叠于该衬底上的N型层、发光层和P型层，所述GaN外延层在部分P型层表面蚀刻至裸露N型层，所述电流扩散层设于P型层表面，所述P电极设于电流扩散层上，所述N电极设于N型层上；朝所述P型层的面为芯片本体的表面，朝所述衬底的面为芯片本体的底面。

进一步的，所述电流扩散层为ITO膜层、AZO膜层、ZnO膜层或石墨烯膜层。

进一步的，所述反光层为布拉格反射层，设于芯片本体表面的所述布拉格反射层具有让位口，并让位于电极使其裸露。

进一步的，所述反光层为金属反光层，所述金属反光层不连通所述芯片本体的P型层和N型层。

进一步的，所述芯片本体还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于电流扩散层、N型层以及P型层和N型层的交界处的表面，并裸露出P电极和N电极，位于芯片本体表面的金属反光层设于绝缘保护层表面。

进一步的，所述绝缘保护层的材料采用SiN、SiO₂、SiON、Al₂O₃、MgF₂中的一种。

进一步的，所述芯片本体还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层设置于由P电极垂直投影于P型层的表面位置，并被电流扩散层所覆盖。

进一步的，所述电流阻挡层的材料采用SiN、SiO₂、SiON、Al₂O₃中的一种。

一种LED显示屏，至少包括上述所述的LED芯片。

通过本实用新型提供的技术方案，具有如下有益效果：

所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，限制了光的传播方向，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出，使得光只从侧面逸出，取消了正面集中出光的方式，该LED芯片应用于LED显示屏，有效解决了LED显示屏的光斑问题。

附图说明