[实用新型]一种LED芯片以及LED显示屏

权利要求书

1.一种LED芯片，包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，其特征在于：所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述芯片本体为GaN基的芯片本体，包括：GaN外延层、电流扩散层、透光绝缘层、P电极以及N电极，所述GaN外延层包括衬底以及依次层叠于该衬底上的N型层、发光层和P型层，所述GaN外延层在部分P型层表面蚀刻至裸露N型层，所述电流扩散层设于P型层表面，所述P电极设于电流扩散层上，所述N电极设于N型层上；朝所述P型层的面为芯片本体的表面，朝所述衬底的面为芯片本体的底面。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述电流扩散层为ITO膜层、AZO膜层、ZnO膜层或石墨烯膜层。

4.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于：所述反光层为布拉格反射层，设于芯片本体表面的所述布拉格反射层具有让位口，并让位于电极使其裸露。

5.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述反光层为金属反光层，所述金属反光层不连通所述芯片本体的P型层和N型层。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述芯片本体还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于电流扩散层、N型层以及P型层和N型层的交界处的表面，并裸露出P电极和N电极，位于芯片本体表面的金属反光层设于绝缘保护层表面。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘保护层的材料采用SiN、SiO₂、SiON、Al₂O₃、MgF₂中的一种。

8.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述芯片本体还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层设置于由P电极垂直投影于P型层的表面位置，并被电流扩散层所覆盖。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于：所述电流阻挡层的材料采用SiN、SiO₂、SiON、Al₂O₃中的一种。

10.一种LED显示屏，其特征在于：至少包括权利要求1至9任一所述的LED芯片。