[实用新型]一种CVD镀膜蒸发控制装置

说明书

本实用新型公开了一种CVD镀膜蒸发控制装置，包括通过管路依次连接的加热蒸发室、裂解室和沉积室，所述加热蒸发室的输出侧装设有第一压力检测器，裂解室的输出侧装设有第二压力检测器，沉积室上设有第三压力检测器，第一压力检测器、第二压力检测器和第三压力检测器分别与控制器连接，控制器与加热蒸发室的加热设备连接，加热蒸发室还设有温度传感器，该温度传感器与控制器连接。本实用新型控制精度更高，有效保证沉积效率和镀膜品质。

技术领域

本实用新型属于CVD镀膜设备技术领域，具体地说是一种CVD镀膜蒸发控制装置。

背景技术

真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件（金属、半导体或绝缘体）表面而形成薄膜的一种方法。例如，真空镀铝、真空镀铬等。

真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。其中化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法，主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。

传统的CVD镀膜工艺，通常包括蒸发仓、裂解仓和沉积仓，在蒸发仓内加热蒸发，然后输送到裂解仓内高温裂解，再进入到沉积仓内沉积成膜。为了保证沉积品质，需要对沉积过程中的压力进行控制。沉积压力不稳定，会导致沉积效率较差，材料浪费严重，成膜质量也差。现有的处理方式往往只是通过检测沉积仓的压力，然后来控制加热蒸发仓的温度，然而这种控制方式难以及时的调整压力，仍然难以保证沉积仓内的稳定压力。

发明内容

为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种CVD镀膜蒸发控制装置，压力控制更加精确，提升沉积效率和镀膜品质。

为了解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：

一种CVD镀膜蒸发控制装置，包括通过管路依次连接的加热蒸发室、裂解室和沉积室，所述加热蒸发室的输出侧装设有第一压力检测器，裂解室的输出侧装设有第二压力检测器，沉积室上设有第三压力检测器，第一压力检测器、第二压力检测器和第三压力检测器分别与控制器连接，控制器与加热蒸发室的加热设备连接，加热蒸发室还设有温度传感器，该温度传感器与控制器连接。

所述控制器还连接有报警器。

所述加热蒸发室与裂解室之间的管路上设有与控制器连接的电磁阀门。

所述裂解室与沉积室之间的管路上设有与控制器连接的电磁阀门。

所述控制器还连接有用于显示压力值的压力显示器。

所述控制器还连接有压力指示灯。

本实用新型通过对加热蒸发室、裂解室和沉积室的压力分别检测，实时控制加热蒸发室的加热温度，从而及时调整沉积室的压力，确保沉积室内的压力变化在允许范围内，提升沉积效率和镀膜品质。

附图说明

附图1为本实用新型连接原理示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。