[实用新型]一种具有ODR的倒装VCSEL芯片

说明书

本实用新型提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。本实用新型通过欧姆接触层限制电流，绝缘层和金属反射层构成ODR结构实现全反射，不受氧化层限制、散热性好，并且制作工艺简单。

技术领域

本实用新型涉及VCSEL芯片技术领域，更具体地说，尤其涉及一种具有ODR的倒装VCSEL芯片。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的VCSEL芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL）有别于LED（Light Emitting Diode，发光二极管）和LD（Laser Diode，激光二极管）等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉且易集成大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连和光存储等领域。

现有的VCSEL芯片通常包括GaAs衬底1’、在GaAs衬底1’上依次设置的N-DPR层2’、有源层3’、氧化层4’、P-DBR层5’和GaAs层6’，如图1所示。传统的制作工艺是一次沉积好外延后进行ICP蚀刻出孔或台阶，然后在孔或台阶内进行氧化。但是该方案受氧化层限制，制作工艺各工序的精度要求很高，良率参差不齐，并且具有散热性差、饱和电流低等缺点。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的为：提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，无需设置氧化层，能够降低制作工艺的难度，并且有效地提高散热性及饱和电流。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DBR层远离所述有源层一侧的电极。

可选的，所述导电层的材质包括金属。

可选的，所述导电层的材质包括铜或铜钨合金。

可选的，所述导电层的厚度为100-200um。

可选的，所述第一DBR层为P-DBR层，所述第二DBR层为N-DBR层。

可选的，所述欧姆接触层包括GaAs层。

可选的，所述绝缘层的材质包括SiO2。

可选的，所述金属反射层的材质包括Au、Ag或Al。

由上述可知，本实用新型提供的具有ODR的倒装VCSEL芯片，利用欧姆接触层进行电流限制，从而无需设置氧化层；同时，绝缘层和金属反射层构成ODR（全反射）结构，具有散热作用的第一DBR层中所需的高低折射率材料对数减少，即第一DBR层的厚度减少，并且去除了衬底，从而有效提高了散热性，增大了芯片的饱和电流和大电流下的功率输出。

附图说明