[实用新型]光电传感器

说明书

本申请提供一种光电传感器，能够提高人不可见的近红外光源的采集以及提高光电转换效率。所述光电传感器包括：光电二极管和反射结构，其中，所述反射结构设置于所述光电二极管的外侧或者内部，和/或，所述反射结构设置于所述光电二极管的下方，以使不同角度入射的入射光在经过所述光电二极管到达所述反射结构时被反射，重新回到所述光电二极管中。

技术领域

本申请涉及光电传感器领域，并且更具体地，涉及一种光电传感器。

背景技术

光电传感器是一种基于光电效应将光信号转换为电信号的器件，其中，薄膜晶体管光电传感器是一种典型的光电传感器，一般是由控制电信号传输的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)和用于将光信号转换为电信号的光电二极管(Photodiode，PD)等组成。

近年来，随着医学成像，指纹图像采集，以及指纹识别市场的发展，薄膜晶体管光电传感器得到了广泛的应用。然而，由于近红外光的波长(780～2526nm)比可见光(380～780nm)的波长要长，在薄膜晶体管光电传感器的光电二极管结构中，近红外光的吸收率较低，同时由于红外波长容易透过薄膜晶体管光电传感器的光电二极管结构，进一步造成吸收效率降低。因此，如何提高对人眼不可见的近红外(Near Infrared，NIR)光源的采集以及提高光电转换效率成为薄膜晶体管光电传感器领域亟待解决的问题之一。

实用新型内容

本申请提供一种光电传感器，能够提高人不可见的近红外光源的采集以及提高光电转换效率。

第一方面，提供了一种光电传感器，包括：光电二极管和反射结构，

其中，所述反射结构设置于所述光电二极管的外侧或者内部，和/或，所述反射结构设置于所述光电二极管的下方，以使不同角度入射的入射光在经过所述光电二极管到达所述反射结构时被反射，重新回到所述光电二极管中。

本申请实施例提供的光电传感器中设置有反射结构，可以使不同角度入射的入射光在经过光电二极管到达反射结构时被反射，重新回到光电二极管中，能够提高人不可见的近红外光源的采集以及提高光电转换效率。

进一步地，在本申请实施例中，反射结构可以设置于光电二极管的外侧或者内部，也可以设置于光电二极管的下方，还可以同时设置于光电二极管的外侧或者内部以及光电二极管的下方，使得光电二极管区域对反射光进行二次甚至更多次吸收，从而最大程度提高光吸收率。

在一些可能的实现方式中，所述反射结构沿所述光电二极管的高度方向设置于所述光电二极管的外侧或者内部。

在一些可能的实现方式中，若所述反射结构设置于所述光电二极管的外侧，在所述反射结构与所述光电二极管的外壁之间设置有第一透光介质层，且所述第一透光介质层的厚度使得所述光电二极管与所述反射结构之间满足针对所述入射光的光学谐振条件。

应理解，在所述光电二极管与所述反射结构之间满足针对所述入射光的光学谐振条件时，所述光电二极管对所述入射光的吸收比率达到最大值。

在一些可能的实现方式中，所述反射结构围绕所述光电二极管连续或者离散分布。

假设所述光电二极管为正方体，四个侧面分别记为a,b,c,d，两个底面分别记为e,f。例如，所述反射结构围绕所述光电二极管，连续分布于a,b,c,d四个侧面的外侧。又例如，所述反射结构围绕所述光电二极管，离散分布于a,c两个侧面的外侧。再例如，所述反射结构围绕所述光电二极管，离散分布于侧面a的外侧。即所述反射结构离散分布时，其离散位置可以是随机产生的，也可以是基于特定规律产生的，本申请实施例对此不作限定。

在一些可能的实现方式中，若所述反射结构设置于所述光电二极管的内部，所述反射结构位于靠近所述光电二极管的外壁的区域。