[实用新型]一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜

说明书

本实用新型公开了一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、镀于TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，ITO导电层的厚度大于消影层的厚度且小于消影层厚度的2倍，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影。

技术领域

本实用新型涉及光电玻璃技术领域，尤其涉及一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜。

背景技术

ITO导电膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

ITO导电膜的主要参数有：表面方块电阻、表面电阻的均匀性、透光率、反射率、蚀刻前后反射率差值（消影特性）、热稳定性、耐酸碱稳定性、耐划伤（耐后期加工）等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜厚度有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。

现有ITO导电膜的结构为：Glass/BM/ITO氧化铟锡，其中BM为绝缘保护层，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成图案以后，由于蚀刻前后的反射差值较大，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。在可见光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88％左右，如果电阻值更低的话，透过率还会更低，导致反射率高，因此在可见光下，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。

已有技术中的ITO导电膜均是在高温镀膜线上实现，虽然在高温镀膜线上实现导电玻璃的ITO镀膜时的镀膜难度较小，但是，高温镀膜线所采用的设备昂贵，并且高温镀膜过程中温度比较难以控制，导致最终的镀膜成功率较低。而且，在常温下实现普通厚度的ITO导电膜的过程中，就很难实现消影，对于较厚的ITO导电膜，由于其厚度和吸收以及膜层成分的变化，蚀刻前后反射差会更大，蚀刻时会产生更重的影子，也即已有技术中根本就不存在完全消影的较厚常温溅镀的ITO导电膜。换句话说，目前使用的超过50纳米的ITO导电膜，基本没有做消影处理，只能用在特殊情况无消影要求的地方。常温镀ITO膜，与高温镀ITO相比，方块电阻较高，所以为了保持同样的导电性能，就普遍实行镀较厚的ITO来实现高温镀膜的一样的导电性。因为厚度大，因而与高温镀膜相比，影子难以消除。

发明内容

本实用新型提供一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，旨在解决已有技术中的ITO导电膜所存在的技术缺陷。

本实用新型提供的具体技术方案如下：

本实用新型提供的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于所述第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于所述第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于所述第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于所述第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，所述ITO导电层的厚度大于所述消影层的厚度且小于所述消影层厚度的2倍。

可选的，所述第二层五氧化二铌膜的厚度大于所述第一层五氧化二铌膜的厚度，所述第一层二氧化硅膜的厚度大于所述第二层二氧化硅膜的厚度。