[实用新型]一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜有效
| 申请号： | 201920094811.0 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN209297772U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 徐风海 | 申请（专利权）人： | 台玻（青岛）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅膜 五氧化二铌 消影层 第一层 上表面 超厚 消影 单面镀膜 间隔分布 本实用新型 基板上表面 玻璃表面 光电玻璃 常温下 折射率 基板 刻蚀 反射 配合 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，其特征在于，所述ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于所述第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于所述第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于所述第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于所述第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，所述ITO导电层的厚度大于所述消影层的厚度且小于所述消影层厚度的2倍。
2.根据权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述第二层五氧化二铌膜的厚度大于所述第一层五氧化二铌膜的厚度，所述第一层二氧化硅膜的厚度大于所述第二层二氧化硅膜的厚度。
3.根据权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述第一层五氧化二铌膜的厚度为5.9纳米，所述第一层二氧化硅膜的厚度为42.0纳米，所述第二层五氧化二铌膜的厚度为14.9纳米，所述第二层二氧化硅膜的厚度为22.4纳米，所述ITO导电层的厚度为141.7纳米。
4.根据权利要求3所述的ITO导电膜，其特征在于，所述TG基板的厚度为0.7毫米，所述ITO导电膜在常温下形成单面镀膜单面消影结构。
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