[实用新型]缺陷检测设备

说明书

本实用新型是关于一种缺陷检测设备，用于对完成刻划工艺的待测基板进行缺陷检测。所述待测基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的背电极层，所述设备包括：光源组件，用于提供光照，所述光源组件包括第一光源；采集装置，用于在所述第一光源发光时，采集所述第一光源透过所述待测基板形成的第一图像数据；处理装置，与所述采集装置相连接，用于根据所述第一图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷。该技术方案可对完成刻划工艺的基板进行检测，以确保流入后续产线的产品良率。

技术领域

本实用新型涉及光伏电池检测技术领域，尤其涉及一种缺陷检测设备。

背景技术

随着能源危机的日益严峻，关于太阳能的开发应用显得十分重要。其中，薄膜太阳能电池以其光电转化效率高、稳定性好、制造成本低、可柔性化、以及环境友好等优点而受到了广泛的关注。

以铜铟镓硒(CuInGaSe，CIGS)薄膜太阳能电池为例，参考图1所示，典型CIGS薄膜太阳能电池的结构包括：用作衬底基板01的纳钙玻璃或柔性材料，形成于衬底基板01表面的背电极层02例如钼Mo薄膜电极，形成于背电极层02表面的CIGS吸收层03，形成于吸收层03表面的硫化镉CdS缓冲层04，以及依次形成于缓冲层04表面的本征半导体薄膜05例如本征氧化锌i-Zno薄膜和透明电极层06例如和氧化锌铝电极，最终形成PN节。

基于此，在形成各个功能膜层的过程中，需要采用刻划工艺来形成不同的子电池并实现各个子电池之间的串联或者并联。其中，P1刻划线是采用激光刻划工艺实现的，其可用于将背电极层02分割成多个电极单元，P2刻划线是采用机械刻划工艺实现的，其可用于将背电极层02上方位于第一预设位置的CIGS吸收层03和CdS缓冲层04除去，以便于为相邻子电池间的串联形成通道，P3刻划线是采用机械刻划工艺实现的，其可用于将背电极层02上方位于第二预设位置的包括CIGS吸收层03、CdS缓冲层04、本征半导体薄膜05和透明电极层06的所有膜层除去，以便于实现相邻子电池间的串联。但是，在实际生产的过程中，P2刻线和P3刻线的过刻或者漏刻都会导致电池性能的下降甚至芯片功能的失效，因此检测刻划缺陷对于保证电池性能显得十分重要。

实用新型内容

为克服相关技术中存在的问题，本实用新型实施例提供了一种缺陷检测方法及设备。该技术方案如下：

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种缺陷检测方法，用于对完成刻划工艺的待测基板进行缺陷检测，所述待测基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的背电极层，所述方法包括：

采集第一光源透过所述待测基板形成的第一图像数据；

根据所述第一图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷。

在一个实施例中，所述方法还包括：

采集第二光源由所述背电极层所在表面反射的第二图像数据；

根据所述第一图像数据和所述第二图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷。

在一个实施例中，所述第一光源和所述第二光源分设于所述待测基板的两侧，所述第一图像数据和所述第二图像数据均自所述第一光源所在侧采集。

在一个实施例中，所述方法还包括：

在采集所述第一图像数据和所述第二图像数据之前，控制所述第一光源和所述第二光源同时发射不同颜色的光。

在一个实施例中，所述方法还包括：

控制所述第一光源和所述第二光源交替发光，在所述第一光源发光时，采集所述第一图像数据，在所述第二光源发光时，采集所述第二图像数据。