[实用新型]一种应用于非制冷远红外焦平面阵列芯片的吸盘有效
| 申请号： | 201920033599.7 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN209104135U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 戈锐;王鹏;褚博;刘宝龙;权五云;赵言 | 申请（专利权）人： | 哈工大机器人（山东）智能装备研究院 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 250000 山东省济南市章丘区明*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸盘 焦平面阵列 内壳体 外壳体 远红外 非制冷 芯片 本实用新型 气管连接孔 芯片表面 中空腔室 侧壁 气道 锗窗 应用 抓取 玻璃 传统吸盘 芯片加工 触碰 制冷 连通 体内 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于非制冷远红外焦平面阵列芯片的吸盘，其特征在于：包括外壳体(1)和内壳体(2)，内壳体(2)固定安装在外壳体(1)内，外壳体(1)的顶部开有气管连接孔(6)，外壳体(1)的顶部与内壳体(2)的顶部之间形成中空腔室(5)，外壳体(1)的侧壁与内壳体(2)的侧壁之间形成气道(7)，气道(7)通过中空腔室(5)与气管连接孔(6)连通。
2.根据权利要求1所述的一种应用于非制冷远红外焦平面阵列芯片的吸盘，其特征在于：所述外壳体(1)和内壳体(2)的侧壁底部边缘处均设有吸盘边缘结构(3)，外壳体(1)和内壳体(2)上的吸盘边缘结构(3)对称设置。
3.根据权利要求2所述的一种应用于非制冷远红外焦平面阵列芯片的吸盘，其特征在于：所述吸盘边缘结构(3)为下底为平面的倒锥形空腔，气道(7)通过到锥形空腔与外部连通。
4.根据权利要求2所述的一种应用于非制冷远红外焦平面阵列芯片的吸盘，其特征在于：所述吸盘边缘结构(3)的末端设有硅胶层(4)。
5.根据权利要求1所述的一种应用于非制冷远红外焦平面阵列芯片的吸盘，其特征在于：所述气管连接孔(6)的内壁上设有内螺纹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
