[发明专利]量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管有效
申请号: | 201911419489.5 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113122232B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 宋斌 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/56;H10K50/115 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 材料 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
本发明提供了一种量子点材料的制备方法,包括:配置包括锌、镉、硫的的前驱体溶液,在惰性气氛下加热至第一反应温度,得到Cdsubgt;1‑x/subgt;Znsubgt;x/subgt;S量子点核溶液;在惰性气氛中,于第二反应温度下,在所述Cdsubgt;1‑x/subgt;Znsubgt;x/subgt;S量子点核溶液中添加第一硫前驱体、第一镉前驱体和第一锌前驱体,进行第一壳层反应,得到Cdsubgt;1‑x/subgt;Znsubgt;x/subgt;S/Cdsubgt;1‑y/subgt;Znsubgt;y/subgt;S量子点溶液;在惰性气氛中,于第三反应温度下,在所述Cdsubgt;1‑/subgt;subgt;x/subgt;Znsubgt;x/subgt;S/Cdsubgt;1‑y/subgt;Znsubgt;y/subgt;S量子点溶液中添加第二硫前驱体、第二镉前驱体和第二锌前驱体,进行外壳层反应,制备得到Cdsubgt;1‑x/subgt;Znsubgt;x/subgt;S/Cdsubgt;1‑y/subgt;Znsubgt;y/subgt;S/Cdsubgt;1‑z/subgt;Znsubgt;z/subgt;S量子点。
技术领域
本发明属于量子点材料技术领域,尤其涉及一种量子点材料及其制备方法,一种量子点发光二极管以及一种发光装置。
背景技术
量子点(QDs),又称为半导体纳米晶,具有荧光发射强、量子产率高、半峰宽窄、尺寸及发光波长连续可调等优点,优异的光学性能使得量子点在在光电器件、生物成像、荧光标记等领域具有广阔的应用前景。近些年,显示行业快速发展,面板企业的竞争愈发激烈,在传统LCD面板技术和利润达到一定瓶颈期后,新型显示材料和显示技术的需求和发展迫在眉睫。基于量子点的发光二极管(QLED)器件由于其色纯度高、色域广等优点吸引了包括三星、TCL等知名显示公司的注意。
经过三十年多年的研究和发展,量子点的合成方法已趋于成熟。基于高质量的红、绿量子点的量子点膜和量子点电致发光器件QLED都迅猛发展,基本达到工业要求。然而,蓝色量子点的不稳定性,尤其是基于蓝光量子点的QLED,由于寿命问题,一直无法满足工业需要。蓝光QLED器件的寿命问题主要是由于蓝色量子点的能级与空穴传输材料的能级匹配度差、核壳量子点本身核壳之间晶格适配大等。因此,如何制备高荧光量子产率、核壳结构合理、与空穴传输材料能级匹配的量子点成为了解决该问题的关键。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点材料及其制备方法,一种含有上述量子点材料的量子点发光二极管,以及含有上述量子点发光二极管的发光装置,旨在解决现有的量子点特别是蓝色量子点的能级与空穴传输材料的能级匹配度差、核壳量子点本身核壳之间晶格适配大的问题。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明第一方面提供一种量子点材料的制备方法,包括以下步骤:
配置包括锌、镉、硫的前驱体溶液,在惰性气氛下加热至第一反应温度,得到Cd1-xZnxS量子点核溶液;
在惰性气氛中,于第二反应温度下,在所述Cd1-xZnxS量子点核溶液中添加第一硫前驱体、第一镉前驱体和第一锌前驱体,进行第一壳层反应,在所述Cd1-xZnxS量子点核的表面生长Cd1-yZnyS壳层,得到Cd1-xZnxS/Cd1-yZnyS量子点溶液;
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