[发明专利]光刻缺陷修复方法

权利要求书

1.一种光刻缺陷修复方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体结构，且所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上方的硬掩模层以及位于所述硬掩模层上方的图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有光刻缺陷；

在所述图形化的光刻胶层以及硬掩模层上覆盖表面活性剂，且所述表面活性剂还吸附在所述图形化的光刻胶层的光刻缺陷处，所述表面活性剂包括亲水性的表面活性剂，且所述表面活性剂的亲水能力与所述光刻缺陷中的断线缺陷以及裂缝缺陷中暴露出的光刻胶和空气的界面的亲水能力相匹配，以使所述表面活性剂能充分吸附到所述图形化的光刻胶层的断线缺陷和/或裂缝缺陷中；

除去多余的表面活性剂；

烘焙所述表面活性剂使其进行交联；

除去多余的交联的表面活性剂，以形成所述光刻缺陷被修复后的图形化的光刻胶层；

以修复后的所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述硬掩模层，以形成图形化的硬掩模层。

2.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述图形化的光刻胶层的形成方法包括极紫外光刻。

3.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述除去多余的表面活性剂的方法包括冲洗。

4.如权利要求3所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述冲洗的溶剂包括去离子水。

5.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述光刻缺陷包括桥接缺陷、断线缺陷和裂缝缺陷中的至少一种。

6.如权利要求5所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，当所述光刻缺陷包括桥接缺陷时，在除去多余的交联的表面活性剂的步骤中，还包括除去所述桥接缺陷，以使得所述桥接缺陷所连接的光刻胶图形相互断开。

7.如权利要求5所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，当所述光刻缺陷包括断线缺陷和/或裂缝缺陷时，在覆盖表面活性剂的步骤中，所述表面活性剂会填满所述图形化的光刻胶层中的所述断线缺陷和/或裂缝缺陷；在除去多余的交联的表面活性剂的步骤中，会去除所述光刻缺陷以外的交联的表面活性剂。

8.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述交联的表面活性剂的抗刻蚀能力与所述图形化的光刻胶层的抗刻蚀能力相匹配。

9.如权利要求8所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，在所述图形化的光刻胶层以及硬掩模层上覆盖表面活性剂的步骤之前，在表面活性剂分子上增加耐刻蚀基团，以使得交联的表面活性剂的抗刻蚀能力与所述图形化的光刻胶层的抗刻蚀能力相匹配。