[发明专利]紫外线发光元件

说明书

本发明提供一种紫外线发光元件，包括：基板；第一导电型半导体层，布置于基板；台面，布置于第一导电型半导体层，包含第二导电型半导体层及活性层；第一接触电极，与暴露于台面周围的第一导电型半导体层接触；第二接触电极，在台面上接触第二导电型半导体层；钝化层，覆盖第一接触电极、台面及第二接触电极，具有开口部；第一凸起电极及第二凸起电极，通过钝化层的开口部电连接于第一接触电极及第二接触电极，其中，台面在从上部观察时具有多个凹陷部，第一接触电极以预定间隔与台面隔开，形成为包围台面，在多个凹陷部内接触于第一导电型半导体层，第一凸起电极及第二凸起电极分别覆盖钝化层的开口部，还覆盖钝化层的一部分。

本申请是申请日为2017年1月11日、申请号为201780006654.7、题为“紫外线发光元件”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种紫外线发光元件，尤其涉及一种能够提高光提取效率的紫外线发光元件。

背景技术

最近，为了改善发光效率并解决散热问题，对倒装芯片形态的发光元件的关注正在增加。

倒装芯片结构的发光元件与现有的发光元件相比散热效率高，并且几乎没有遮光，因此与现有的发光元件相比具有光效率提高了50％以上的效果。但是，即使有这样的优点，倒装芯片结构的发光元件也可能存在如下缺点。

N型半导体层，尤其是在紫外线发光元件中使用的N型半导体层与金属相比导电率非常低。因此，N型半导体层、活性层及P型半导体层之间的电流可能发生沿着电阻低的特定路径密集的现象。例如，电流可以沿着N型半导体层内的具有较低的电阻的特定路径而形成于活性层及P型半导体层之间。

若发生这样的现象，则贯穿活性层的整个面积而不发光，因此可能导致发光效率低下且可靠性低下。为了克服这一问题，可能发生需要提高工作电压的问题以及为了增加光量而需要额外的技术的问题。

发明内容

技术问题

本发明要解决的课题在于，提供一种能够消除在半导体层内部电流流动密集的现象并提高电流扩散(current spreading)程度(degree)的发光元件，尤其是紫外线发光元件。

本发明的目的并不限制于上述内容，未提及的本发明的其他目的及优点可以通过下面的说明得到理解。

技术方案

根据本发明的一实施例的紫外线发光元件包括：基板；第一导电型半导体层，布置于所述基板上；台面，布置于所述第一导电型半导体层上，并包含第二导电型半导体层及布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；第一接触电极，与暴露于所述台面周围的第一导电型半导体层接触；第二接触电极，在所述台面上接触于所述第二导电型半导体层上；钝化层，覆盖所述第一接触电极、所述台面及所述第二接触电极，并具有布置于所述第一接触电极及所述第二接触电极上部的开口部；以及第一凸起电极及第二凸起电极，通过所述钝化层的开口部分别电连接于所述第一接触电极及第二接触电极，其中，所述台面在从上部观察时具有多个凹陷部，所述第一凸起电极及所述第二凸起电极分别覆盖所述钝化层的开口部，并且还覆盖所述钝化层的一部分。

进而，所述第一接触电极至少可以在所述台面的凹陷部内接触于所述第一导电型半导体层。

所述紫外线发光元件还可以包括：第一焊盘电极，布置于所述第一接触电极上；以及第二焊盘电极，布置于所述第二接触电极上，其中，所述钝化层的开口部使所述第一焊盘电极及所述第二焊盘电极暴露，所述第一凸起电极及第二凸起电极分别通过所述开口部连接于所述第一焊盘电极及所述第二焊盘电极。

进而，所述第一焊盘电极及所述第二焊盘电极可以利用彼此相同的金属材质形成。

并且，所述紫外线发光元件还可以包括：阶梯防止层，布置于所述第一接触电极与所述第一焊盘电极之间。