[发明专利]一种清洗刻蚀系统

说明书

本发明公开了一种清洗刻蚀系统，包括清洗刻蚀液供给装置、清洗刻蚀槽和溢流装置，所述清洗刻蚀液供给装置的出液端连接所述清洗刻蚀槽的入液端，所述溢流装置的出液端连接所述清洗刻蚀液供给装置的入液端，其中，所述清洗刻蚀液供给装置用于将经过加热且均匀分布有的清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀槽中；所述清洗刻蚀槽用于利用所述清洗刻蚀液供给装置提供的所述清洗刻蚀液对待清洗刻蚀原料进行刻蚀清洗；所述溢流装置用于将所述清洗刻蚀槽溢流出的所述清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀液供给装置中。本发明所提供的清洗刻蚀系统可以加速刻蚀清洗工艺的进程，促进刻蚀反应的进行，达到提高刻蚀效率和提高清洗效果的目的。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种清洗刻蚀系统。

背景技术

单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性的材料，属半导体材料类。单晶硅主要用于制备半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等。而多晶硅作为半导体行业单晶硅的基础材料，具有极高的洁净度要求。

在单晶硅制备过程中，需进行拉晶处理，而在拉晶过程中会有很多晶棒出现单晶结构损失变成多晶的情况，而且在后续辊磨和截断工序会偶发性的发生因为机器故障导致的单晶硅晶裂的现象，此时则需要对因在拉晶过程中由于单晶结构损失变成多晶的部分以及晶裂部分的硅材料进行回收利用，以降低原材料成本，但是上述材料在运输和多次转运之后，会接触到很多污染物，其主要包括多晶硅原料表面的金属颗粒等其它有机或无机污染物，为了保证多晶硅材料的洁净度，便需要对其彻底清洗，以便再次重复利用。

请参见图1，其是目前较为常见的一种清洗刻蚀装置，该清洗刻蚀装置通过在刻蚀槽侧部通入气体(例如氮气)，以在酸液中产生气泡，但是该清洗刻蚀装置是在侧方进气，从而导致气泡直径大，且气泡在酸液中分布不均匀，另外这种清洗刻蚀装置不利于促进刻蚀反应，存在整体刻蚀效率低、清洗不干净的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种清洗刻蚀系统。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种清洗刻蚀系统，包括清洗刻蚀液供给装置、清洗刻蚀槽和溢流装置，所述清洗刻蚀液供给装置的出液端连接所述清洗刻蚀槽的入液端，所述溢流装置的出液端连接所述清洗刻蚀液供给装置的入液端，其中，

所述清洗刻蚀液供给装置用于将经过加热且均匀分布有气泡的清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀槽中；

所述清洗刻蚀槽用于利用所述清洗刻蚀液供给装置提供的所述清洗刻蚀液对待清洗刻蚀原料进行刻蚀清洗；

所述溢流装置用于将所述清洗刻蚀槽溢流出的所述清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀液供给装置中。

在本发明的一个实施例中，所述清洗刻蚀液供给装置包括供液装置、供液泵和气泡发生器，所述供液装置的出液端通过所述供液泵连接所述气泡发生器的入液端，所述气泡发生器的出液端连接所述清洗刻蚀槽的入液端，其中，

所述供液装置用于对所述清洗刻蚀液进行加热，并将经过加热的所述清洗刻蚀液通过供液泵传输至所述气泡发生器中；

所述气泡发生器用于向经过加热的所述清洗刻蚀液中充入均匀分布的气泡，并将经过加热且均匀分布有所述气泡的所述清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀槽中。

在本发明的一个实施例中，所述供液装置包括热液供应装置、水浴管和供液槽，所述水浴管设置在所述供液槽中，所述热液供应装置的出液端连接所述水浴管的入液端，所述水浴管的出液端连接所述热液供应装置的入液端，所述供液槽的出液端通过所述供液泵连接所述气泡发生器的入液端，其中，

所述热液供应装置用于对液体加热，并将经过加热的所述液体传输至所述水浴管中；

所述水浴管用于通过所述水浴管中的液体对所述供液槽中的所述清洗刻蚀液进行加热，并将所述液体回传至所述热液供应装置中；