[发明专利]一种下电极组件及其等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201911355593.2 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN113035682B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 黄允文 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 徐雯琼;章丽娟
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电极 组件 及其 等离子体 处理 装置
【说明书】:

发明涉及一种下电极组件及其等离子体处理装置,该下电极组件包括:静电夹盘,其包括承载面,用于承载待处理基片;若干个升降销孔贯通静电夹盘;各升降销分别位于各个升降销孔内;多孔套位于各个升降销孔内,环绕设置于各升降销的周围,多孔套与升降销之间具有间隙,多孔套内具有若干个孔隙,孔隙与间隙连通;气浮通道位于静电夹盘内,与多孔套内的孔隙连通;气体输送装置用于向气浮通道内输送气体,使多孔套与升降销之间形成气膜。其优点是:通过气体输送装置向气浮通道内输送气体,使多孔套与升降销之间形成气膜,可避免升降销与升降销孔之间的摩擦,因此升降销与升降销孔的缝隙可缩至非常小,从而能够抵抗很高电势和能量而不产生电弧。

技术领域

本发明涉及半导体设备领域,特别涉及一种下电极组件及其等离子体处理装置。

背景技术

在对半导体工艺件(如基片)进行加工时,为了保证工艺件加工的均匀性,需保证其在处理过程中水平放置,另外也要保证真空反应腔的洁净度,从而防止工艺件样品被污染。

传统的等离子体处理装置一般包含一真空反应腔,所述真空反应腔底部设置有下电极组件,所述下电极组件包含一静电夹盘,该静电夹盘包含一承载面用于承载待处理基片(晶圆),若干个销孔贯通静电夹盘,若干个升降销分别位于各个销孔内;一举升机构位于静电夹盘的下方,所述举升机构与升降销连接,以实现升降销的上下运动,从而实现待处理基片在工艺过程中的举升和放置。

但是在等离子体处理装置加工和装配的过程中,各个组件之间可能会存在着公差,因而无法保证连接举升机构的升降销与静电夹盘上的销孔达到较高的同心度,在升降销上下运动时,升降销可能会与销孔的孔壁发生摩擦。为了避免这一点,需要将静电夹盘里面的销孔的孔径加大,但是较大孔径的销孔就会导致升降销和销孔的间隙变大,过大的间隙容易导致空隙电弧放电,从而造成产品损伤。另外,当静电夹盘在被加热和冷却的过程当中,静电夹盘的膨胀系数可能和升降销有所不同,这样升降销和静电夹盘的销孔更加无法保证同心度。

在处理基片的过程中,若升降销与静电夹盘上的升降销孔未达到较高的同心度,升降销可能相对静电夹盘呈倾斜状态,从而导致待处理基片上下时与静电夹盘不完全平行,这会影响待处理基片在静电夹盘上的对准,进而影响待处理基片边缘的刻蚀质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种下电极组件及其等离子体处理装置,通过气体输送装置向气浮通道内输送气体,使多孔套与升降销之间形成气膜,在所述气膜的作用下进行动态调整,使升降销与升降销孔同心度,且两者之间的间隙较小,因此,还能够防止电弧损伤。

为了达到上述目的,本发明通过以下技术方案实现:

一种用于等离子体处理装置的下电极组件,包括:

静电夹盘,包括承载面,用于承载待处理基片;

若干个升降销孔,贯通所述静电夹盘;

若干个升降销,分别位于各个所述升降销孔内;

若干个多孔套,位于各个所述升降销孔内,环绕设置于各个所述升降销的周围,且所述多孔套与所述升降销之间具有间隙,所述多孔套内具有若干个孔隙,所述孔隙与所述间隙连通;

气浮通道,位于所述静电夹盘内,与各个所述多孔套内的所述孔隙连通;以及

气体输送装置,用于向所述气浮通道内输送气体,使所述多孔套与所述升降销之间形成气膜。

可选的,还包括:

设备板,所述静电夹盘设置于所述设备板上,所述设备板上具有若干个通孔,各个所述通孔的中心轴线分别与升降销孔的中心轴线重合,所述升降销也贯穿所述通孔;

升降装置,位于所述设备板下方;

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