[发明专利]透明显示装置在审
申请号: | 201911346265.6 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111384128A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 金财铉;朴银贞;金官洙;金锡显 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 显示装置 | ||
1.一种透明显示装置,所述透明显示装置包括:
基板,所述基板具有多个像素;
各个所述像素中的至少一个发射部分和至少一个透射部分;
有机发光层,所述有机发光层位于所述发射部分中;
反射电极结构,所述反射电极结构在所述发射部分中位于所述有机发光层和所述基板之间;
透射电极,所述透射电极在所述基板上遍及所有所述像素而位于所述发射部分和所述透射部分上;以及
覆盖结构,所述覆盖结构包括第一覆盖层和第二覆盖层,所述第一覆盖层位于所述透射电极上并且具有相消干涉特性和第一折射率n1,所述第二覆盖层被配置在所述第一覆盖层上并且具有比所述第一折射率n1小的第二折射率n2。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述第一折射率为2.0或更大,并且所述第二折射率比所述第一折射率小0.2至1.2。
3.根据权利要求2所述的透明显示装置,其中,所述第一折射率为2.0至2.7,并且所述第二折射率为1.3至2.0。
4.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中:
所述第一覆盖层具有第一厚度d1;并且
所述第一覆盖层的第一光程n1d1具有mλ/2cosθ的值,其中,m为整数,λ为相消干涉波长,并且θ为入射角。
5.根据权利要求4所述的透明显示装置,其中,所述相消干涉波长是蓝色波长。
6.根据权利要求4所述的透明显示装置,其中,所述相消干涉波长是深蓝色波长。
7.根据权利要求5所述的透明显示装置,其中,所述相消干涉波长的峰值波长在430nm至465nm的范围内。
8.根据权利要求4所述的透明显示装置,其中:
所述第二覆盖层具有第二厚度d2;并且
所述第二覆盖层的第二光程n2d2是所述第一光程n1d1的0.9至1.1倍。
9.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述第二覆盖层的上表面的反射率与所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之间的界面的反射率之差在5%以内。
10.根据权利要求1所述的透明显示装置,所述透明显示装置还包括封装层,所述封装层位于所述第二覆盖层上。
11.根据权利要求10所述的透明显示装置,其中,所述第二覆盖层的上表面的反射率为其中,nEncap为所述封装层的折射率,θi为入射角,并且θt为出射角。
12.根据权利要求11所述的透明显示装置,其中,所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之间的界面的反射率为
其中,所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之间的界面的反射率与所述第二覆盖层的上表面的反射率之差为5%或更小。
13.根据权利要求8所述的透明显示装置,其中:
所述第一厚度为至并且
所述第二厚度为至
14.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中:
通过所述有机发光层的上表面发射的光依次由所述透射电极、所述第一覆盖层和所述第二覆盖层透射;并且
由所述第二覆盖层透射的光量与通过从经由所述有机发光层的上表面发射的总光量中减去所述透射电极的反射率、所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之间的界面的反射率以及所述第二覆盖层的上表面的反射率而获得的值成比例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的