[发明专利]发光元件及包括此的发光装置在审
申请号: | 201911345347.9 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN111129241A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 李锦珠;李剡劤;尹俊皓;郭雨澈;张三硕 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 包括 装置 | ||
提供一种发光元件及包括此的发光装置。包括第一侧面及长度小于第一侧面的长度的第二侧面的发光元件,包括:基板,包括在基板上表面形成的多个凸出部;发光结构体,位于基板上,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层,其中,多个凸出部布置为蜂窝图案,多个凸出部包括第一凸出部及邻近于第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二至第七凸出部,第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°,第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°,第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线的每单位长度的凸出部的线密度大于与第一侧面平行的任意的线的每单位长度的凸出部的线密度。
本申请是申请日为2016年9月23日、申请号为201680055897.5、题为“发光元件及包括此的发光装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光元件及包括此的发光装置,尤其是一种包括包含布置为具有预定取向性的凸出部的基板的发光元件及包括此的发光装置。
背景技术
由氮化物系半导体形成的发光元件生长于能够外延生长氮化物系半导体的生长基板上,进而被提供。氮化物系半导体可以在诸如蓝宝石基板、SiC基板、硅基板、ZnO基板等的异种(heterogeous)基板或者诸如GaN基板的同种(homogeneous)基板上生长。尤其,由于蓝宝石熔点非常高,耐湿式蚀刻性强,价格低廉,因此被广泛用作氮化物系半导体的生长基板。
最近,对这样的蓝宝石基板的表面进行图案化而形成预定图案的图案化蓝宝石基板(PSS:patterned sapphire substrate)被用作用于制造发光元件的生长基板。PSS的图案提高发光元件的光提取效率,并改善氮化物系半导体的外延生长工艺,从而提高结晶性。
发明内容
技术问题
本发明所要解决的课题在于,提供一种基板(例如,PSS)的多个凸出部具有预定的取向性从而提高了发光效率的发光元件。
本发明所要解决的又一课题在于,提供一种通过使多个凸出部的取向方向与发光元件布置的方向具有特定关系从而提高了发光效率的发光装置。
技术方案
根据本发明的一实施例的发光元件,包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面的发光元件,并且包括:基板,包括在基板上表面形成的多个凸出部;以及发光结构体,位于所述基板上,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层,其中,所述多个凸出部布置为蜂窝图案,且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部,并且从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线,从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线,从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线,所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°,所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°,所述第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线与所述第一侧面形成的角θ为15°以上45°以下。
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