[发明专利]发光元件及包括此的发光装置在审
申请号: | 201911345347.9 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN111129241A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 李锦珠;李剡劤;尹俊皓;郭雨澈;张三硕 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 包括 装置 | ||
1.一种发光元件,包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面,其中,包括:
基板,包括在基板上表面形成的多个凸出部;以及
发光结构体,位于所述基板上,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层,
其中,所述多个凸出部布置为蜂窝图案,且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部,
从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线,从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线,从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线,
所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°,所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°,
所述第一矢量线(L1)、第二矢量线(L2)、第三矢量线(L3)中的至少一条矢量线的每单位长度的凸出部的线密度大于与所述第一侧面平行的任意的线的每单位长度的凸出部的线密度。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中,
所述第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线与所述第一侧面形成的角θ为30°。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中,
所述凸出部具有下表面为圆形的音盆状或圆锥形的形态。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中,还包括:
电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极以及电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极。
5.如权利要求4所述的发光元件,其中,
所述第一电极包括第一电极焊盘,所述第二电极包括第二电极焊盘,
所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘中的一个电极焊盘邻近于所述第二侧面而布置。
6.如权利要求1所述的发光元件,其中,
所述发光元件具有矩形的平面形状。
7.如权利要求1所述的发光元件,其中,
包括所述凸出部的基板为图案化蓝宝石基板。
8.一种发光装置,其中,包括:
主体部,包括基底部及侧壁部;
第一引线架及第二引线架,固定于所述主体部;以及
发光元件,位于所述基底部上,且包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面,
其中,所述发光元件包括:
基板,包括在基板上表面形成的多个凸出部;以及
发光结构体,位于所述基板上,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层,
其中,所述多个凸出部布置为蜂窝图案,且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部,
从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线,从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线,从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线,
所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°,所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°,
所述第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线的每单位长度的凸出部的线密度大于与所述第一侧面平行的任意的线的每单位长度的凸出部的线密度。
9.如权利要求8所述的发光装置,其中,
所述主体部具有被所述侧壁部包围的细长形状的空腔,
所述发光元件的第一侧面沿所述空腔的长度方向布置。
10.如权利要求8所述的发光装置,其中,
还包括覆盖所述发光元件的密封件,
所述密封件含有荧光体。
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