[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201911338309.0 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113097056A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;刘盼盼;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供目标刻蚀层，在所述目标刻蚀层上依次形成初始掩膜层、抗反射层以及图形化结构；
以所述图形化结构为掩膜，对所述抗反射层进行第一次刻蚀，去除部分厚度的所述抗反射层；
对所述图形化结构进行表面处理；
对所述抗反射层进行第二次刻蚀，直至露出所述初始掩膜层的表面。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用等离子体工艺对所述图形化结构进行表面处理。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子体工艺的工艺气体包括HBr或H2或Ar。
4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述工艺气体为HBr时，所述等离子体工艺的工艺参数包括：HBr气体的流量为30～500sccm，压强为3～100毫托，功率为50～1000瓦。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射层为无机抗反射层或有机抗反射层。
6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，第一次刻蚀去除的所述抗反射层的部分厚度占所述抗反射层厚度的5％～95％。
7.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蚀和所述第二次刻蚀均为干法刻蚀。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蚀和所述第二次刻蚀的工艺参数相同，所述工艺参数包括：刻蚀气体包括CHxFy气体中的一种或多种的组合，其中，x为大于等于0的自然数，y为大于等于1的自然数，且x+y＝4，刻蚀压强为5～100毫托，刻蚀功率为100～1200瓦。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述图形化结构具有第一粗糙度；对所述图形化结构进行表面处理之后，使所述图形化结构具有的第一粗糙度变为第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，露出所述初始掩膜层表面之后，还包括：以所述图形化结构和所述抗反射层为掩膜，刻蚀所述初始掩膜层，形成图形化的掩膜层。
11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述目标刻蚀层，形成目标图形层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
