[发明专利]一种复合薄膜及其制备方法和自启动锁模光纤激光装置

权利要求书

1.一种复合薄膜制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

a1、按比例取聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇、氢氧化钠、氯化铋、氯化锑和亚碲酸钠，将聚乙烯吡咯烷酮加入到乙二醇中，搅拌均匀；

a2、将亚碲酸钠、氯化铋、氯化锑和氢氧化钠加入到搅拌均匀的乙二醇溶液中，搅拌至完全溶解；

a3、将步骤a2所得的前驱液导入到反应内衬中，并放入反应釜中密封，将反应釜放入干燥箱中恒温反应；

a4、反应完成后取出样品，加入无水乙醇和去离子水对混合溶液反复进行清洗，最后将溶液倒入离心管中进行离心，获得Bi_1.2Sb_0.8Te₃纳米片沉淀物;

a5、将步骤a4获得的沉淀物倒入烧杯中，并将烧杯放入干燥箱中烘干；

a6、将步骤a5获得的Bi_1.2Sb_0.8Te₃粉末溶于乙醇溶液中，并进行搅拌；

a7、将步骤a6所得的均匀Bi_1.2Sb_0.8Te₃乙醇溶液滴涂在厚石英基底上，即可获得均匀的Bi_1.2Sb_0.8Te₃涂层；

a8、通过真空镀膜机在步骤a7所制得的厚石英基底上镀SiO₂薄膜，得到Bi_1.2Sb_0.8Te₃/SiO₂复合薄膜。

2.如权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤a3中干燥箱的温度为190℃，反应时间为32小时。

3.如权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤a5中干燥箱的温度为60℃，烘干时间5h。

4.如权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤a6中搅拌时间为1h，所述步骤a7中厚石英基底厚度为10µm；所述步骤a8中SiO₂薄膜的厚度为半波长厚度。

5.一种采用权利要求1～4中任一项所述的复合薄膜制备方法制备的复合薄膜，其特征在于：所述复合薄膜由如下重量份的原料制备：

聚乙烯吡咯烷酮3～11份、乙二醇16～24份、氢氧化钠76～84份、氯化铋2～10份、氯化锑1～9份、亚碲酸钠11～19份和二分之一波长厚度的二氧化硅；

所述复合薄膜用于非线性吸收、诱导锁模自启动；采用水热制备法制备掺杂Bi_1.2Sb_0.8Te₃纳米片。

6.如权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于：所述复合薄膜由如下重量份的原料制备：

聚乙烯吡咯烷酮4～10份、乙二醇17～23份、氢氧化钠77～83份、氯化铋3～9份、氯化锑2～8份、亚碲酸钠12～18份和二分之一波长厚度的二氧化硅。

7.如权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于：所述复合薄膜由如下重量份的原料制备：

聚乙烯吡咯烷酮7份、乙二醇20份、氢氧化钠80份、氯化铋6份、氯化锑4份、亚碲酸钠15份和二分之一波长厚度的二氧化硅。

8.一种自启动锁模光纤激光装置，其特征在于：包括依次连接的激光发出组件、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、偏振控制器、复合薄膜和输出耦合器，所述输出耦合器与所述波分复用器相连接；

所述复合薄膜采用权利要求5～7之一所述的复合薄膜。

9.如权利要求8所述的自启动锁模光纤激光装置，其特征在于：包括依次连接的980nmLD泵浦源、980/1550波分复用器、铒掺杂光纤、偏振无关隔离器、单模光纤、偏振控制器、Bi_1.2Sb_0.8Te₃/SiO₂复合薄膜和10%输出耦合器。