[发明专利]一种优化原子层沉积的方法

权利要求书

1.一种优化原子层沉积的方法，其特征在于，包含下列步骤：

(A)提供一纤维素纳米纤维；

(B)以一酸化处理剂对所述纤维素纳米纤维进行一酸化处理；

(C)以一疏水处理剂对经酸化处理的所述纤维素纳米纤维进行一疏水处理；

(D)将经酸化及疏水处理的所述纤维素纳米纤维溶于一溶剂中，形成一纤维素纳米纤维溶液；

(E)将所述纤维素纳米纤维溶液涂布于一硅胶薄膜上；

(F)对涂布后的硅胶薄膜进行一加热处理，以在所述硅胶薄膜的表面上形成一纤维素纳米纤维层；以及

(G)以原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)在具有纤维素纳米纤维层的硅胶薄膜表面上形成一无机镀膜层。

2.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(D)中，所述纤维素纳米纤维溶液的浓度介于0.05w/v％至0.3w/v％之间。

3.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(D)中，所述溶剂选自由水、甲苯、甲醇、乙醇、异丙醇、丙二醇甲醚、叔丁醇、丁酮、四氢呋喃、以及其组合所组成的群组中的至少之一。

4.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(F)中，所述纤维素纳米纤维层的厚度介于0.2微米(μm)至1.6微米(μm)之间。

5.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(F)中，所述加热处理的温度介于40℃至120℃之间，加热时间介于1分钟至30分钟之间。

6.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(G)中，所述无机镀膜层的厚度介于10纳米(nm)至300纳米(nm)之间。

7.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(G)中，所述无机镀膜层包括二氧化硅(SiO₂)、三氧化二铝(Al₂O₃)或二氧化铪(HfO₂)。

8.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(B)中，所述酸化处理剂包含盐酸、硫酸、硝酸、醋酸或三氟甲磺酸。

9.如权利要求8所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(B)中，所述酸化处理剂的浓度介于0.1N至10N之间。

10.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(C)中，所述疏水处理剂包含一具有C6至C18的长碳链胺基化合物。

11.如权利要求1所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(C)中，所述疏水处理剂包含六胺、十二胺、十八胺、溴化十六烷基三甲胺或十八烷基三甲基氯化铵。

12.如权利要求10所述的优化原子层沉积的方法，其特征在于，在前述步骤(C)中，所述疏水处理剂的浓度介于0.1wt％至5wt％之间。

13.一种具有无机镀膜层的硅胶薄膜，其特征在于，其通过如权利要求1至12中任一项所述的优化原子层沉积的方法所获得。

14.如权利要求13所述的具有无机镀膜层的硅胶薄膜，其特征在于，前述具有无机镀膜层的硅胶薄膜的水气穿透率(WVTR)小于1gm^-2day^-1。

15.一种光学半导体装置，其特征在于，前述光学半导体装置由权利要求13所述的具有无机镀膜层的硅胶薄膜封装而成。