[发明专利]一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法

权利要求书

1.一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)预处理：将工件清洁干净并低温吹干；

(2)真空处理：预处理后的工件放上挂架并放入真空炉内，对金属挂架加载偏压，真空炉内抽真空5.0x10-3Pa，启动转盘，使工件在挂架上转动，同时挂架在真空炉内转动；

(3)结合膜层镀制：开启电源调至30-40V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到25x10-2Pa，启动硅靶和氮气，通入的氮气使真空度达到35x10-2Pa，使工件表面形成氮化硅结合膜层；

(4)载体层镀制：保持硅靶和关闭氮气，降低氩气流量，通入乙炔气体，使工件表面形成碳化硅的载体层；

(5)杀菌膜层镀制：保持硅靶溅射，继续通入乙炔气体，同时启动银靶溅射在工件表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；

(6)镀膜完成：关闭银靶，然后关闭所有气体，待5-10分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。

2.根据权利要求1所述一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法，其特征在于：所述步骤(1)中工件清洁为玻璃清洁剂清洁或超声波清洁中的一种，吹干温度不超过110℃，吹干时间超过30分钟。

3.根据权利要求1所述一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中金属挂架加载偏压15V—-65V。

4.根据权利要求1所述一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中真空炉内转速度为30s/r。

5.根据权利要求1所述一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法，其特征在于：所述步骤(3)中氩气的流量为100-250sccm，靶电流为8A，电镀时间为2-10分钟。

6.根据权利要求1所述一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法，其特征在于：所述步骤(5)中氩气流量降低至40-80sccm，乙炔气体流量为150-250sccm，乙炔气体通入时间为1-5分钟。

7.根据权利要求1所述一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法，其特征在于：所述步骤(5)中银靶的靶电流为0.5-1A，银靶溅射时间为1-4分钟。