[发明专利]N型电池及其选择性发射极的制备方法、以及N型电池

权利要求书

1.一种N型电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供N型硅片；

在所述N型硅片表面进行硼掺杂，从所述N型硅片的表面向所述硅片内部依次形成硼硅玻璃层和第一掺杂层；

在所述硼硅玻璃层的至少预定区域形成吸收层；

在所述预定区域通过激光进行划线，所述吸收层吸收所述激光的能量将其转化为硼原子的扩散动能，形成在所述预定区域的所述N型硅片表面的第二掺杂区，此后去除所述吸收层和所述硼硅玻璃层，其中，所述第二掺杂区硼的掺杂浓度大于去除所述第二掺杂区之外的所述第一掺杂层硼的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过氢氟酸溶液进行清洗以去除所述吸收层和所述硼硅玻璃层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼掺杂通过热扩散方式实现。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼掺杂通过下述方法实现：

在所述N型硅片的表面依次形成掺杂源层和覆盖层，所述掺杂源层为氧化硼层，所述覆盖层为氧化硅层；

将所述N型硅片放入氮气气氛中进行退火。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光的波长范围为355nm～532nm，光斑直径大小为50～150um，功率为20～40瓦，扫描速度为5～50米/秒。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述吸收层的厚度为50-100nm，所述吸收层的折射率为2.0～3.0，其对所述激光的吸收系数为3×106cm-1以上。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述吸收层包括氮化硅层、氮氧化硅层、氮化铝、碳化硅、或多晶硅的任意一层、多层或其混合材料层。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述硼硅玻璃层的至少预定区域形成吸收层包括：

在所述硼硅玻璃层的表面，通过等离子体增强化学气相沉积法形成所述吸收层。

9.一种N型电池的制备方法，其特征在于，包括在N型硅片上制备选择性发射极，其中，通过权利要求1至8任一项所述的制备方法在所述N型硅片上制备选择性发射极。

10.一种N型电池，其特征在于，包括所述N型硅片，所述N型硅片上形成有选择性发射极，所述选择性发射极上设置有电极，其中，通过权利要求1至8任一项所述的制备方法形成所述选择性发射极。