[发明专利]制造接头处的泄漏存储器孔修复

说明书

本发明题为“制造接头处的泄漏存储器孔修复”。具有制造接头的存储器阵列包括控制器，该控制器被配置为：在耦接到多条位线的字线上施加检测电压；对检测电压具有第一类型响应的位线的数量进行计数；以及在位线的数量超过所配置值的情况下，利用特定阈值电压对邻近制造接头的至少一条虚设字线上的存储器单元进行编程。

背景技术

现代存储器设备通过将存储器单元封装到越来越小的区域来推动制造技术的极限。存储器设备中的存储器单元的密度可变得如此密集以致使电子泄漏导致存储器故障。

高密度的存储器设备的一个问题在于它们通常在存储器阵列中具有一个或多个制造接头。这些制造接头允许较高密度的存储器单元阵列，并从而允许较高容量的存储器设备。遗憾的是，制造接头的存在可能导致问题。

一个已知的问题是，制造接头可在高密度存储器单元阵列中的相邻存储器串之间泄漏电荷，尤其是在存在制造误差的情况下。存储器串在本文中也被称为“存储器通道”。当存储器被编程或读取时，这种泄漏可导致编程困难和/或不准确的结果。

附图说明

为了容易地识别对任何特定元件或动作的讨论，参考标号中最有意义的一个或多个数位是指首次引入该元件的附图标号。

图1示出根据一个实施方案的存储器通道100。

图2示出根据一个实施方案的闪存存储器阵列200。

图3示出根据一个实施方案的存储器单元编程过程300。

图4示出根据一个实施方案的阈值电压分布400。

图5示出根据一个实施方案的存储器通道修复过程500。

图6示出根据一个实施方案的阈值电压分布600。

图7示出根据一个实施方案的存储器通道修复过程700。

图8示出根据一个实施方案的存储器通道修复过程800。

图9示出根据一个实施方案的存储器通道修复过程900。

图10是根据一个实施方案的示例存储器设备的框图。

图11示出根据一个实施方案的控制器信号1100。

图12示出根据一个实施方案的控制器信号1200。

具体实施方式

本文公开了具有包含制造接头的存储器阵列的存储器设备的实施方案。“制造接头”是沿着存储器通道的被配置为将存储器通道的一部分与存储器通道的另一部分、另一存储器通道的一部分，和/或非易失性存储器结构中的另一部件电耦合并且物理耦合的区域。在某些示例性实施方案中，制造接头电连接并且物理连接两个不同存储器通道的两端，每个存储器通道在制造过程中在不同阶段制成。虚设字线是耦接到不存储数据位的存储器单元(虚设存储器单元)的字线。存储器通道是用于由串联晶体管器件形成的电荷流的路径。在某些实施方案中，存储器通道将存储器设备中的位线和源线电耦合，如下文更详细地示出和论述。

存储器设备控制器可被配置为在耦接到多条位线的字线上施加检测电压并对检测电压具有第一类型响应的位线的数量进行计数。在位线的数量超过所配置值的情况下，利用特定阈值电压对邻近制造接头的至少一条虚设字线上的存储器单元进行编程。基于晶体管的存储器单元的阈值电压是栅电压，超过该栅电压，存储器单元将在其源极区和漏极区之间传导电流。