[发明专利]制造接头处的泄漏存储器孔修复有效
| 申请号: | 201911298168.4 | 申请日: | 2019-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN111696616B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
| 发明(设计)人: | G·J·海明克;X·杨 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
| 主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G11C29/12;G11C29/50 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵志刚 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 接头 泄漏 存储器 修复 | ||
1.一种存储器设备,包括:
存储器阵列,所述存储器阵列具有存储器通道,每个存储器通道均具有存储器单元和制造接头;和
控制器,所述控制器被配置成:
利用用户数据对所述存储器通道的所述存储器单元进行编程;
检测未能响应于所述存储器单元满足阈值而利用所述用户数据正确编程的存储器单元的数量;
确定与未能正确编程的所述存储器单元对应的位线;
增加在邻近所述制造接头的至少一条虚设字线上的至少一个虚设存储器单元的阈值电压;并且
其中所述阈值电压被配置为减缓相邻存储器通道之间的电流泄漏。
2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中检测未能正确编程的所述存储器单元的数量包括从字线上的位线总数减去不满足所述阈值的位线的第一数量。
3.根据权利要求1所述的存储器设备,所述控制器被进一步配置为:
施加满足最高成功程序阈值电压的检测电压,并确定响应于编程失败而未能正确编程的所述存储器单元的数量。
4.根据权利要求3所述的存储器设备,所述控制器被进一步配置为:
响应于所述编程失败,在发生所述编程失败的存储器区域中执行数据备份;
将所述存储器区域标记为不可用;
增加在邻近所述制造接头的所述至少一条虚设字线上的所述至少一个虚设存储器单元的所述阈值电压;以及
将所述存储器区域标记为可供使用。
5.根据权利要求3所述的存储器设备,所述控制器被进一步配置为:
检测未能仅针对所述存储器阵列的多条字线中的单条特定字线而正确编程的所述存储器单元的数量。
6.根据权利要求5所述的存储器设备,其中所述单条特定字线为字线0。
7.根据权利要求5所述的存储器设备,所述控制器被进一步配置为:
确定在所述编程失败发生在所述单条特定字线上的情况下未能正确编程的所述存储器单元的数量。
8.根据权利要求1所述的存储器设备,所述控制器被进一步配置为:
利用随机数据模式来初始化所述存储器阵列的包括所述存储器通道的区域。
9.一种控制器,所述控制器被配置为:
通过在存储器单元上设置阈值电压,对包括制造接头的存储器阵列的所述存储器单元进行编程;
检测未能响应于在所述存储器阵列的至少一条字线上施加检测电压而正确编程的存储器单元的数量;
确定与未能正确编程的所述存储器单元对应的一条或多条位线;以及
增加在邻近所述制造接头的至少一条虚设字线上的至少一个虚设存储器单元的阈值电压,以修复未能正确编程的所述存储器单元的存储器通道。
10.根据权利要求9所述的控制器,其中检测未能正确编程的所述存储器单元的数量包括从经受所述检测电压的位线的总数减去未对所述检测电压作出响应的位线的第一数量。
11.根据权利要求9所述的控制器,所述检测电压满足针对所述存储器单元的最高成功程序阈值电压。
12.根据权利要求11所述的控制器,被进一步配置为:
响应于编程失败,在发生所述编程失败的存储器区域中执行数据备份;
修复与未能正确编程的所述存储器单元对应的存储器通道;
检测未能响应于在选择用于编程的至少一条字线上施加所述检测电压而编程的所述存储器单元的数量;以及
将所述存储器区域标记为可供使用。
13.根据权利要求11所述的控制器,被进一步配置为:
检测未能仅针对所述存储器阵列的多条字线中的单条特定字线而正确编程的所述存储器单元的数量。
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