[发明专利]一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法在审
| 申请号： | 201911294276.4 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110942990A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王阿署;曾令艳 | 申请（专利权）人： | 成都大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 宋辉 |
| 地址： | 610000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algan gan hemt 管理 方法 | ||
1.一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在AlGaN/GaN/Si衬底上，使用ICP方法在AlGaN和GaN层上刻蚀深槽用于器件之间的绝缘；
(2)使用电子束蒸发方法淀积欧姆接触电极；
(3)采用PECVD的方法生长钝化层；
(4)刻蚀源极和漏极处的钝化层；
(5)采用PECVD的方法生长金刚石热分散层；
(6)使用SiN作为保护层，采用ICP方法刻蚀金刚石层以形成源极、漏极及栅极窗口；
(7)刻蚀栅极处的钝化层；
(8)电子束蒸发淀积柵极电极。
2.根据权利要求1所述的一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法，其特征在于，欧姆接触为Ti/Al/Ni/Au多层结构。
3.根据权利要求1所述的一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法，其特征在于，钝化层为SiO2或SiN材料。
4.根据权利要求1所述的一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法，其特征在于，钝化层的厚度为10-30nm。
5.根据权利要求1所述的一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法，其特征在于，金刚石热分散层的厚度为500-1000nm。
6.根据权利要求1所述的一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法，其特征在于，步骤(8)中柵极电极为Ni/Au。
7.根据权利要求1所述的一种AlGaN/GaN HEMT的热管理方法，其特征在于，淀积柵极电极后，通过电子束蒸发淀积一层金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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