[发明专利]背接触式全彩LED显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201911285016.0 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN112542479A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 詹世豪;曾少泽;黄耀贤 | 申请(专利权)人: | 进化光学有限公司;黄耀贤 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/62 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 任媛;刘铁生 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 全彩 led 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种背接触式全彩LED显示面板,包括:
一双面抛光透光基板,其二表面分别作为一承载面与一出光面;
M×N个LED发光结构,其中各所述LED发光结构包括:
一缓冲层,形成于该双面抛光透光基板的该承载面之上;
一第一半导体材料层,形成于该缓冲层之上;
一主动层,形成于该第一半导体材料层之上;及
一第二半导体材料层,形成于该主动层之上;
一绝缘层,形成于该承载面之上,且覆盖该M×N个LED发光结构;
M×N个第一通孔,形成于该绝缘层之中,其中各所述第一通孔用以露出各所述第一半导体材料层;
M×N个第一导电柱,分别形成于该M×N个第一通孔之中,且具有一底端与一顶端,各所述第一导电柱以其所述底端连接至各所述第一半导体材料层;
M×N个第二通孔,形成于该绝缘层之中,其中各所述第二通孔用以露出各所述第二半导体材料层;
M×N个第二导电柱,分别形成于该M×N个第二通孔之中,且具有一底端与一顶端,各所述第二导电柱以其所述底端连接至各所述第二半导体材料层;以及
一光转换单元,设置于该出光面之上,且包括M×N个光转换部分别对应于该M×N个LED发光结构。
2.根据权利要求1所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,所述背接触式全彩LED显示面板与一驱动电路模块组合成一全彩LED显示设备,且该驱动电路模块具有M×N个第一电极和M×N个第二电极;其中,各所述第一电极连接至各所述第一导电柱的该顶端,且各所述第二电极连接至各所述第二导电柱的该顶端。
3.根据权利要求2所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,所述全彩LED显示设备与一触控面板组合成一全彩LED触控显示设备,且该触控面板置于该光转换单元之上。
4.根据权利要求2所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,还包括一共接地层,其设置于该绝缘层与该驱动电路模块之间,且具有N条桥接导线与一条共接地导线;其中,M个所述第一导电柱的该顶端同时连接至一条所述桥接导线,且N条所述桥接导线同时连接该共接地导线。
5.根据权利要求4所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,该M×N个第二电极同时连接至一共驱动导线,且该共驱动导线以其一共驱动电极而与该共接地导线的一共接地电极连接。
6.根据权利要求1所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,该双面抛光透光基板可为下列任一者:双面抛光蓝宝石基板、双面抛光尖晶石基板、双面抛光碳化硅基板、双面抛光玻璃基板、或双面抛光石英基板。
7.根据权利要求1所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,该绝缘层的制程材料为一氧化物,且该缓冲层的制造材料可为下列任一者:未掺杂的氮化镓、氮化铝、或氧化锌。
8.根据权利要求1所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,该第一半导体材料层的制造材料为N型氮化镓,且所述第二半导体材料层的制造材料为P型氮化镓。
9.根据权利要求1所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,该主动层于该第一半导体材料层与该第二半导体材料层之间形成一个多重量子井结构,且该多重量子井结构为一未掺杂的氮化镓层与一氮化铟镓层的一多重交互堆栈结构。
10.根据权利要求9所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,对应于该多重量子井结构包含彼此交互堆栈的多个所述未掺杂的氮化镓层与多个所述氮化铟镓层,该M×N个光转换部包括:多个红光转换部、多个绿光转换部以及多个空转换部。
11.根据权利要求1所述的背接触式全彩LED显示面板,其特征在于,该主动层于该第一半导体材料层与该第二半导体材料层之间形成一个多重量子井结构,且该多重量子井结构为一氮化铝镓层与一氮化铟镓层的多重交互堆栈结构。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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