[发明专利]处理腔室以及基板处理装置有效
申请号: | 201911280441.0 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN111312621B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 中根慎悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 以及 装置 | ||
本发明提供一种处理腔室,具有可装卸的盖部,用于对被处理基板实施加热处理,其能够抑制盖部下表面中的面向腔室内部空间的部分的温度降低。处理腔室具有:腔室主体,在上部具有开口,用于容纳被处理基板和对被处理基板进行加热的热源;盖部,相对于开口能够开闭;以及密封部,当盖部相对于开口处于关闭状态时,在盖部与腔室主体之间包围开口来对盖部与腔室主体之间的间隙进行密封。密封部具有:主体侧密封部件,由弹性材料形成,以沿着开口的周围包围开口的方式设置于腔室主体;盖侧密封部件,由弹性材料形成,设置于盖部的下表面中与主体侧密封部件相对的位置,在关闭状态下,通过主体侧密封部件与盖侧密封部件抵接对间隙进行密封。
技术领域
本发明涉及一种用于在内部对基板进行加热处理的处理腔室以及使用该处理腔室的基板处理装置,特别地,涉及一种具有相对于腔室主体自由开闭的盖部的装置。
背景技术
例如,在半导体基板、显示装置用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板、光盘用基板等各种的基板的处理工序中,广泛采用在基板上涂敷涂敷液后,使涂敷液所含的成分挥发的处理。为了促进挥发,有时对基板进行加热。在这样的以加热处理为目的的基板处理装置中,为了抑制热的扩散而提高能量效率,或者为了防止因加热而挥发的涂敷液的成分向周围飞散,通常在腔室内进行处理。在该情况下,因加热而挥发的涂敷液的成分在腔室内被冷却并析出,有时附着于腔室内壁面。这样的附着物因落到基板而成为污染源。
为了对应该问题,例如,在日本特开2008-251670号公报(专利文献1)中记载的基板处理装置中,沿着腔室的顶面设置有用于形成升温后的气体的气流的机构。即,在腔室的侧部设置有喷出加热气体的供气口。另外,加热气体从隔着基板而设置在与供气口相反一侧的排气口排气。由此,挥发的涂敷液的成分不会在腔室内析出而被排出到外部。
在这样的腔室中,为了进行设置在腔室内的加热装置等处理单元的装卸、清扫等维护作业,通常壁面的一部例如上表面构成为自由装卸的盖部。在该情况下,腔室主体与安装于其上的盖部之间的间隙通过插入密封件等密封部件来保持气密性。
然而,由于如上述那样进行加热处理的腔室内成为高温,因此,盖部中的面向腔室内空间的部分与除此以外的部分之间会产生较大的温度差。由于该温度差会导致盖部变形,从而密封变得不充分,气密性降低,从而外部气体有时会侵入腔室内。由此,在盖部的周缘部产生温度降低,特别地,会产生来自涂敷液的挥发成分液化或固化而附着于面向腔室内空间的面的问题。
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出,目的在于,提供一种处理腔室,该处理腔室具有可装卸的盖部,其能够防止盖部的热变形所导致的气密性的降低,能够抑制盖部下表面中的面对腔室内部空间的部分的温度降低。
本发明的一个实施方式提供一种处理腔室,用于对被处理基板实施加热处理,为了达到上述目的,该处理腔室具有:腔室主体,在上部具有开口,用于容纳所述被处理基板和对所述被处理基板进行加热的热源;盖部,相对于所述开口能够开闭;以及密封部,在所述盖部相对于所述开口处于关闭状态时,在所述盖部与所述腔室主体之间包围所述开口来对所述盖部与所述腔室主体之间的间隙进行密封。并且,所述密封部具有:主体侧密封部件,由弹性材料形成,以沿着所述开口的周围包围所述开口的方式设置于所述腔室主体;盖侧密封部件,由弹性材料形成,设置于所述盖部的下表面中与所述主体侧密封部件相对的位置,在所述关闭状态下,通过所述主体侧密封部件与所述盖侧密封部件抵接对所述间隙进行密封。
在这样的结构的发明中,通过均具有弹性的主体侧密封部件与盖侧密封部件抵接,对腔室主体与盖部之间的间隙进行密封。根据这样的结构,由于通过具有弹性的密封部件彼此的抵接来密封间隙,因此,相对于因盖部的热变形引起的间隙的增大,密封部件能够追随该间隙而保持密封状态。即,在本发明中,即使由于盖部的热变形而与腔室主体的间隙增大,密封部件也追随该间隙增大而保持气密状态。这样一来,能够防止因低温的外部气体向腔室内的侵入而引起的盖部下表面的温度降低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造