[发明专利]具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

半导体材料区域，所述半导体材料区域包括第一导电类型的第一半导体层并且具有第一主表面；

第二导电类型的第一本体区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第一本体区域设置在从所述第一主表面延伸的第二半导体层中，其中所述第一本体区域包括：

第一区段，所述第一区段具有第一掺杂浓度；和

第二区段，所述第二区段横向邻近所述第一区段并邻近所述第一主表面，所述第二区段具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；

所述第一导电类型的第一源极区域，所述第一源极区域设置在所述本体区域的所述第一区段中，但是不设置在所述第二区段的至少一部分中；

绝缘栅极电极，所述绝缘栅极电极与邻接所述第一区段、所述第二区段和所述第一源极区域的所述半导体材料区域邻近地设置；

第一导电层，所述第一导电层电连接到所述第一区段、所述第二区段和所述第一源极区域；以及

第二导电层，所述第二导电层邻近所述半导体材料区域的与所述第一主表面相对的第二主表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

电连接到所述第一源极区域的镇流电阻器结构，其中所述镇流电阻器结构不物理地接触所述第一导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中：

所述镇流电阻器结构包括设置在所述第一本体区域内的所述第一导电类型的掺杂区域；并且

所述掺杂区域设置在所述第二区段内并且横向延伸以与所述第一区段的一部分重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中：

所述第一区段延伸到所述第一半导体层中达到第一深度；

所述第二区段延伸到所述第一半导体层中达到第二深度；并且

所述第一深度大于所述第二深度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中：

所述第一本体区域包括第一条带区域；并且

所述半导体器件结构还包括：

第二本体区域，所述第二本体区域包括：

第二条带区域，所述第二条带区域大体平行于所述第一条带区域；

第二本体区域第一区段，所述第二本体区域第一区段具有所述第一掺杂浓度；和

第二本体区域第二区段，所述第二本体区域第二区段具有所述第二掺杂浓度；以及

所述第一导电类型的第二源极区域，所述第二源极区域设置在所述第二本体区域第一区段内并且相对于所述第一源极区域横向偏移。

6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其中：

所述第一本体区域的所述第一区段具有第一宽度；

所述第二本体区域第一区段具有不同于所述第一宽度的第二宽度；并且

所述第二宽度小于所述第一宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中：

所述第一本体区域包括横向插置在所述第一区段和所述第二区段之间的第三区段；

所述第三区段包括在所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度之间的第三掺杂浓度；并且

所述第一源极区域横向延伸到所述第三区段的至少一部分中。