[发明专利]非易失性存储器件

说明书

一种非易失性存储器件包括：衬底；存储单元串，包括垂直沟道结构和存储单元；电压发生器，包括第一晶体管，并且被配置为向所述存储单元提供各种电压；和垂直电容器结构。所述垂直电容器结构包括：第一有源图案和第二有源图案，布置为在第一水平方向上彼此分开；第一栅极图案，位于所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的沟道区上方；第一栅极绝缘膜，在垂直方向上位于所述第一栅极图案和所述衬底之间；和电容器电极，均在所述垂直方向上延伸。所述第一晶体管包括第二栅极图案和在所述垂直方向上位于所述第二栅极图案和所述衬底之间的第二栅极绝缘膜。所述第一栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度大于所述第二栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0038603的权益，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明构思涉及存储器件，更具体地，涉及垂直电容器结构以及包括该垂直电容器结构的非易失性存储器件。

背景技术

存储器件(例如，集成电路或半导体芯片)用于存储数据，并且被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。作为非易失性存储器件的示例，闪存器件可以被用在移动电话、数码相机、移动计算机设备、固定计算机设备和其他设备中。近来，随着信息通信设备已变得多功能，已经需要存储器件的大容量和高密度集成。因此，提出了包括在垂直方向上堆叠在衬底上的多条字线的三维(3D)非易失性存储器件。随着在3D非易失性存储器件中堆叠在衬底上的字线的数量增加，需要增加外围电路区域中包括的电荷泵的容量。

发明内容

本发明构思提供了垂直电容器结构和包括所述垂直电容器结构的非易失性存储器件，所述垂直电容器结构用于通过改善电容器的集成度来增加每单位面积的电容。

根据本发明构思的一方面，提供了非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围电路区域；存储单元串，所述存储单元串包括位于所述存储单元区域中的垂直沟道结构和多个存储单元；电压发生器，所述电压发生器位于所述外围电路区域中，所述电压发生器包括第一晶体管，并且被配置为向所述多个存储单元提供各种电压；和垂直电容器结构，所述垂直电容器结构位于所述外围电路区域中。所述垂直电容器结构包括：第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案和所述第二有源图案在第一水平方向上彼此分开；第一栅极图案，所述第一栅极图案位于所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的沟道区上方；第一栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜在相对于所述衬底的垂直方向上位于所述第一栅极图案和所述衬底之间；和多个电容器电极，所述多个电容器电极均在所述垂直方向上延伸，其中，所述多个电容器电极包括：第一电容器电极，所述第一电容器电极与所述第一栅极图案接触，并且被施加第一电压，所述第一栅极图案与所述沟道区形成沟道电容器；第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一有源图案接触，并且被施加第二电压，所述第二电压不同于所述第一电压；和第三电容器电极，所述第三电容器电极与所述第二有源图案接触，并且被施加所述第二电压。所述第一晶体管包括第二栅极图案和在所述垂直方向上位于所述第二栅极图案和所述衬底之间的第二栅极绝缘膜。所述第一栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度大于所述第二栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度。