[发明专利]包括标准单元的半导体器件和集成电路

说明书

公开了一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区；第一有源区与第二有源区之间的场区域；栅极结构，包括上部栅电极和下部栅电极，上部栅电极与第一有源区重叠并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，下部栅电极与第二有源区重叠，在第二方向上延伸，并且与上部栅电极在同一个线上；上部栅电极和下部栅电极之间的栅极隔离层；源极/漏极区，在上部栅电极的相应侧上；接触跨接线，在第二有源区中与上部栅电极交叉，并且将源极/漏极区电连接；以及第一上部触点，在场区域中沿第二方向延伸，并且与下部栅电极和栅极隔离层重叠，其中，上部栅电极是虚设栅电极。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月2日在韩国知识产权局递交的题为“包括标准单元的半导体器件和集成电路(Integrated Circuits and Semiconductor Device IncludingStandard Cell)”的韩国专利申请No.10-2019-0038257的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

实施例涉及包括标准单元的集成电路和半导体器件。

背景技术

随着电子工业的高度发展，半导体器件的性能逐渐提高。例如，半导体器件可以表现出高可靠性、高速和/或多功能性。为了满足这样的特性，半导体器件中的结构可能更复杂，并且半导体器件可以高度集成。

发明内容

实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：第一有源区，在第一方向上延伸；第二有源区，在第一方向上延伸；场区域，在第一有源区与所述第二有源区之间；栅极结构，包括上部栅电极和下部栅电极，上部栅电极与第一有源区重叠并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，下部栅电极与第二有源区重叠，在第二方向上延伸，并且与上部栅电极在同一个线上；栅极隔离层，在上部栅电极与下部栅电极之间；源极/漏极区，在上部栅电极的相应侧上；接触跨接线，在第二有源区中，接触跨接线与上部栅电极交叉并将源极/漏极区电连接；以及第一上部触点，在场区域中在第二方向上延伸，并且与下部栅电极和栅极隔离层重叠，其中，上部栅电极是虚设栅电极。

实施例可以通过提供包括标准单元的集成电路来实现，其中，标准单元包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区具有不同导电类型并且各自在第一方向上延伸；场区域，在第一有源区与所述第二有源区之间；衬底；第一导线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，第一导线在衬底上在第一有源区、第二有源区和场区域中；隔离绝缘层，在场区域中，隔离绝缘层将第一导线分离为第一上部导线和第一下部导线，并将第一上部导线与第一下部导线彼此电绝缘；第一下部触点，在场区域中并在第一下部导线上；第一上部触点，在场区中并在第一下部触点上，第一上部触点在第二方向上延伸并且与隔离绝缘层重叠；以及接触跨接线，在第一有源区中，接触跨接线与第一上部导线交叉，其中，接触跨接线相对于衬底的主表面处于与第一上部触点相同或比第一上部触点低的水平处。

实施例可以通过提供包括标准单元的集成电路来实现，其中，标准单元包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区具有不同导电类型并且各自在第一方向上延伸；场区域，在第一有源区与所述第二有源区之间；上部导线，在第一有源区中，上部导线在与第一方向交叉的第二方向上延伸；下部导线，在第二有源区和场区域中，下部导线在第二方向上延伸，在第二方向上与上部导线彼此间隔开，并且与上部导线在同一个线上；互连线，在场区域中，互连线在第一方向上延伸并且在平面图中在上部导线与下部导线之间；以及上部触点，在场区域中，上部触点在第二方向上延伸并且与互连线和下部导线重叠，其中，下部导线电连接到互连线，并且上部导线与下部导线电绝缘。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：

图1图示了根据示例实施例的包括单向标准单元的集成电路的部分配置的布局图。

图2图示了沿图1的线I-I’截取的截面图。