[发明专利]包括标准单元的半导体器件和集成电路

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一有源区，在第一方向上延伸；

第二有源区，在所述第一方向上延伸；

场区域，在所述第一有源区与所述第二有源区之间；

栅极结构，包括：

上部栅电极，与所述第一有源区重叠，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及

下部栅电极，与所述第二有源区重叠，在所述第二方向上延伸，并且与所述上部栅电极在同一个线上；

栅极隔离层，在所述上部栅电极与所述下部栅电极之间；

源极/漏极区，在所述上部栅电极的相应侧上；

接触跨接线，在所述第二有源区中，所述接触跨接线与所述上部栅电极交叉并将所述源极/漏极区电连接；以及

第一上部触点，在所述场区域中在所述第二方向上延伸，并且与所述下部栅电极和所述栅极隔离层重叠，

其中，所述上部栅电极是虚设栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上部触点电连接到所述下部栅电极，并且与所述上部栅电极电绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一下部触点，在所述场区域中将所述下部栅电极电连接到所述第一上部触点。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上部触点与所述上部栅电极间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上部触点的下表面与所述下部栅电极和所述栅极隔离层接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一互连线，在所述场区域中与所述栅极隔离层和所述第一上部触点重叠，并且在所述第一方向上延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：第一通孔，所述第一通孔在所述场区域中将所述第一上部触点电连接到所述第一互连线。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一上部触点的上表面与所述第一互连线接触。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

衬底，在所述半导体器件的底部处；以及

第二互连线和第三互连线，在所述场区域中，其中所述第二互连线和所述第三互连线在所述第一方向上延伸，在所述第一方向上彼此间隔开，相对于所述衬底的主表面与所述第一互连线处于同一水平，并且在所述第一上部触点的相应侧上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，在所述第二方向上从所述第二有源区到所述第二互连线和所述第三互连线的距离小于在所述第二方向上从所述第二有源区到所述第一互连线和所述栅极隔离层的距离。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：所述半导体器件的底部处的衬底，其中，所述第一上部触点和所述接触跨接线相对于所述衬底的主表面处于同一水平。

12.一种包括标准单元的集成电路，其中，所述标准单元包括：

第一有源区和第二有源区，具有不同导电类型，并且各自在第一方向上延伸；

场区域，在所述第一有源区与所述第二有源区之间；

衬底；

第一导线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述第一导线在所述第一有源区、所述第二有源区和所述场区域中处于所述衬底上；

隔离绝缘层，在所述场区域中，所述隔离绝缘层将所述第一导线分离为第一上部导线和第一下部导线，并将所述第一上部导线与所述第一下部导线彼此电绝缘；

第一下部触点，在所述场区域中并在所述第一下部导线上；

第一上部触点，在所述场区中并在所述第一下部触点上，所述第一上部触点在所述第二方向上延伸并且与所述隔离绝缘层重叠；以及

接触跨接线，在所述第一有源区中，所述接触跨接线与所述第一上部导线交叉，

其中，所述接触跨接线相对于所述衬底的主表面处于与所述第一上部触点相同或比所述第一上部触点低的水平处。