[发明专利]谐振器封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种谐振器封装结构，包括：

谐振空腔，位于衬底中；

压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；

焊垫，位于衬底上且连接压电膜；

沉积或涂布工艺制备的封盖层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫；

密封环，形成在焊垫外围；

其中，封盖层接触密封环、焊垫的顶面，并在密封环的外缘直接接触衬底，使密封环与焊垫之间形成空腔，密封环材质为难熔金属或难熔金属的氮化物。

2.根据权利要求1所述的谐振器封装结构，其中，封盖层材料选自以下的任一或其组合：非晶硅、微晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述的谐振器封装结构，其中，焊垫不含贵金属。

4.根据权利要求1所述的谐振器封装结构，其中，牺牲层图形填充密封环与焊垫之间的空隙。

5.根据权利要求4所述的谐振器封装结构，其中，封盖层覆盖牺牲图形。

6.根据权利要求1所述的谐振器封装结构，其中，封盖层与压电膜之间进一步具有第二空腔。

7.根据权利要求6所述的谐振器封装结构，其中，释放孔暴露第二空腔。

8.根据权利要求1所述的谐振器封装结构，其中，接触孔穿过封盖层暴露焊垫，在接触孔中具有金属接触塞。

9.一种谐振器封装方法，包括：

在衬底中形成第一牺牲层图形；

在第一牺牲层图形上形成压电膜；

在衬底上形成连接压电膜的焊垫，以及在焊垫外围的密封环，密封环材质为难熔金属或难熔金属的氮化物；

在压电膜上形成第二牺牲层图形；

采用沉积或涂布工艺在第二牺牲层图形上形成封盖层，封盖层接触密封环、焊垫的顶面，并在密封环的外缘直接接触衬底，使密封环与焊垫之间形成空腔；

刻蚀封盖层形成暴露焊垫的接触孔。

10.根据权利要求9所述的谐振器封装方法，其中，封盖层材料选自以下的任一或其组合：非晶硅、微晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。

11.根据权利要求9所述的谐振器封装方法，其中，焊垫不含贵金属。

12.根据权利要求9所述的谐振器封装方法，其中，第二牺牲层图形不仅覆盖压电膜还进一步覆盖密封环与焊垫之间的衬底顶面。

13.根据权利要求9所述的谐振器封装方法，其中，形成接触孔的同时和/或之后，形成暴露第二牺牲图形的释放孔，各向同性刻蚀一起去除第二牺牲层图形和第一牺牲层图形，在压电膜下方衬底中留下谐振空腔，在压电膜上方留下第二空腔。

14.根据权利要求13所述的谐振器封装方法，其中，控制工艺参数以控制第二牺牲层图形的高度以便控制第二空腔的高度。