[发明专利]一种晶硅/非晶硅异质结电池及其制备方法

权利要求书

1.一种晶硅/非晶硅异质结电池，其特征在于，包括：

基底，所述基底为晶体硅片；

在所述基底正面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜及多层TCO薄膜；

在所述基底背面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜及多层TCO薄膜；

及在TCO薄膜上设置的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池，其特征在于，所述晶体硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片；所述i型本征非晶硅薄膜的厚度为5-20nm；所述金属电极为金属银电极。

3.根据权利要求1所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池，其特征在于，所述TCO薄膜的层数为2-4层；所述TCO薄膜为低功率溅射TCO薄膜及高功率溅射TCO薄膜；所述低功率溅射TCO薄膜的厚度为10-40nm，所述高功率溅射TCO薄膜的厚度为50-100nm。

4.根据权利要求3所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池，其特征在于，所述TCO薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜或ITiO薄膜。

5.一种晶硅/非晶硅异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：将晶体硅片经过制绒、清洗；

步骤(2)：利用离子体化学气相沉积在步骤(1)中所述晶体硅片的正面及背面生长i型本征非晶硅薄膜；

步骤(3)：利用离子体化学气相沉积在步骤(2)中所述i型本征非晶硅薄膜上生长P型和/或N型非晶硅薄膜；

步骤(4)：利用物理气相沉积磁控溅射采用低功率溅射或者高功率溅射在步骤(3)中所述P型和/或N型非晶硅薄膜上生长多层TCO薄膜；

步骤(5)：在步骤(4)中所述的TCO薄膜上通过丝网印刷的方式形成金属电极，即得到晶硅/非晶硅异质结电池。

6.根据权利要求5所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中制绒过程采用碱性溶液腐蚀成晶面，且绒面结构呈金字塔结构的受光面。

7.根据权利要求6所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为NaOH或KOH，碱性溶液的体积浓度比为2％-10％。

8.根据根据权利要求5所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，采用低功率沉积溅射形成低功率溅射TCO薄膜，采用高功率沉积溅射形成高功率溅射TCO薄膜；且低功率溅射的低功率为1-4kw，高功率溅射的高功率为4-20kw。

9.根据根据权利要求5所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，通过丝网印刷的方式形成金属银电极，银电极包括主栅及副栅线，主栅线与细栅线垂直分布，主栅线数为5-18，副栅线数为70-200，栅线宽度为30-60μm。

10.根据根据权利要求5所述的一种晶硅/非晶硅异质结电池的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：步骤(5)得到晶硅/非晶硅异质结电池之后进行烧结；所述烧结温度为180-200℃，烧结时间为25-33min。