[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的四个连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。第一电极支撑件的上表面的对应于至少两个连接侧壁的边界的每个具有线形状、弯曲形状、以及Z字形形状之一，线形状在交叉第一方向和第二方向的第三方向上延伸。

本申请文件是2017年12月14日提交的发明名称为“半导体器件”的第201711337489.1号发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及包括延长的导电电极和支撑该导电电极的支撑结构的半导体器件。

背景技术

近来，半导体器件的尺寸正在减小同时其容量正在增加。诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体器件在每个单元中可能需要一定的电容水平。

正在对电容器使用具有高介电常数的电介质膜或增加电容器的下电极与电介质膜之间的接触面积的方法进行研究。例如，当下电极的高度增加时，电容器与电介质膜之间的接触面积可以增加。因此，电容器的电容也可以增加。

随着下电极的高度增加，下电极倾斜或断开的可能性增加。

发明内容

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的多个下电极，其中所述多个下电极中的各下电极在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁以支撑下电极中的所述至少一个。第一电极支撑件包括第一支撑区域和设置在第一支撑区域的边界处的第二支撑区域，其中第一支撑区域包括第一开口。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁与第二侧壁的连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。在第二支撑区域的第一部分中，第二支撑区域的第一部分的宽度在远离第一支撑区域的方向上减小。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；多个第一下电极，其被设置在单元区域上，其中所述多个第一下电极中的各第一下电极在第一方向上和在交叉第一方向的第二方向上重复地布置；多个第二下电极，其被设置在外围区域上，其中所述多个第二下电极中的各第二下电极在第一方向上和在第二方向上重复地布置；第一电极支撑件，其与第一下电极中的至少一个的侧壁接触以支撑第一下电极中的所述至少一个；以及第二电极支撑件，其与第二下电极中的至少一个的侧壁接触以支撑第二下电极中的所述至少一个。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁与第二侧壁的第一连接侧壁。第一电极支撑件的上表面的对应于第一连接侧壁的边界在第三方向上延伸，其中第三方向交叉第一方向和第二方向。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：包括单元区域的衬底，其中单元区域包括一个或更多个单元块；以及设置在所述一个或更多个单元块的每个中的衬底上的多个下电极。在所述一个或更多个单元块的每个中，所述多个下电极中的各下电极在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上重复地布置。电极支撑件设置在所述一个或更多个单元块的每个中。在所述一个或更多个单元块中的每个中，电极支撑件的形状与单元块的形状基本上相同。在所述一个或更多个单元块的每个中，电极支撑件接触下电极中的至少一个的侧壁以支撑所述至少一个下电极。在所述一个或更多个单元块的至少一个中，电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁与第二侧壁的连接侧壁。在所述一个或更多个单元块的至少一个中，电极支撑件的上表面的对应于连接侧壁的边界在第三方向上延伸，其中第三方向交叉第一方向和第二方向。