[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的多个下电极，其中所述多个下电极中的各下电极在第一方向和交叉所述第一方向的第二方向上重复地布置；以及

第一电极支撑件，其接触所述下电极中的至少一个的侧壁以支撑所述下电极中的所述至少一个，

其中所述第一电极支撑件包括第一支撑区域和设置在所述第一支撑区域的边界处的第二支撑区域，其中所述第一支撑区域包括第一开口，

其中所述第一电极支撑件的外侧壁包括在所述第一方向上延伸的第一侧壁、在所述第二方向上延伸的第二侧壁以及连接所述第一侧壁与所述第二侧壁的四个连接侧壁，

其中所述第二支撑区域包括所述连接侧壁，并且

其中所述第一电极支撑件的上表面的对应于至少两个所述连接侧壁的边界的每个具有线形状、弯曲形状、以及Z字形形状之一，所述线形状在交叉所述第一方向和所述第二方向的第三方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极支撑件的所述上表面的对应于所述至少两个连接侧壁的所述边界的每个具有在所述第三方向上延伸的所述线形状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极支撑件的所述上表面的对应于所述至少两个连接侧壁的所述边界的每个具有所述弯曲形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述Z字形形状具有在第四方向上延伸的第一部分线和在第五方向上延伸的第二部分线，

其中所述第一部分线和所述第二部分线相交处的拐角是圆的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极支撑件的所述上表面的对应于四个所述连接侧壁的边界的每个具有所述线形状、所述弯曲形状、以及所述Z字形形状之一，所述线形状在所述第三方向上延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极包括连续布置的第一行下电极、第二行下电极和第三行下电极，

其中所述第一行下电极、所述第二行下电极和所述第三行下电极中的每个在所述第一方向上延伸，并且其中所述第一方向和所述第二方向彼此垂直，

其中在所述第一方向上延伸的第一线穿过所述第二行下电极中的每个下电极，并且

其中在所述第二方向上延伸的第二线穿过所述第一行下电极中的所述下电极中的一个，穿过所述第三行下电极中的所述下电极中的一个，但不穿过所述第二行下电极中的所述下电极中的一个。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极包括连续布置的第一行下电极、第二行下电极和第三行下电极，

其中所述第一行下电极、所述第二行下电极和所述第三行下电极中的每个在所述第一方向上延伸，并且其中所述第一方向和所述第二方向彼此垂直，

其中在所述第一方向上延伸的第一线穿过所述第二行下电极中的每个下电极，并且

其中在所述第二方向上延伸的第二线穿过所述第一行下电极中的所述下电极中的一个，穿过所述第二行下电极中的所述下电极中的一个，并且穿过所述第三行下电极中的所述下电极中的一个。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极支撑件的所述上表面的对应于所述至少两个连接侧壁的所述边界的每个具有所述线形状和所述Z字形形状之一，所述线形状在所述第三方向上延伸，并且

其中所述至少两个连接侧壁与所述第一侧壁相交处的第一拐角以及所述至少两个连接侧壁与所述第二侧壁相交处的第二拐角是圆的。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述衬底与所述第一电极支撑件之间的第二电极支撑件，

其中所述第二电极支撑件与所述下电极中的所述至少一个的所述侧壁接触以支撑所述下电极中的所述至少一个。