[发明专利]一种回收芯片检测方法

权利要求书

1.一种回收芯片检测方法，其特征在于，包括：

将检测电路、载体电路置于同一环境中；

确定所述载体电路的拟关键路径集；

通过所述检测电路对所述载体电路进行动态仿真得到第一仿真结果；

通过所述检测电路对所述载体电路进行老化仿真、并进行动态仿真得到第二仿真结果；

根据所述第一仿真结果和所述第二仿真结果判断所述载体电路是否为回收芯片；

响应于所述载体电路为回收芯片，测量所述拟关键路径集的延时余量，根据所述延时余量确定所述载体电路的老化情况以完成回收芯片的检测；

其中，确定所述载体电路的拟关键路径集，包括：

获取所述载体电路中每个门的初始延时；

确定所述载体电路中每个门的输入上升/下降时间、负载；

确定所述载体电路中晶体管阈值电压的最坏老化量；

构建所述载体电路的门老化模型；

将所述载体电路中每个门的输入上升/下降时间、负载和晶体管阈值电压的最坏老化量输入至所述载体电路的门老化模型，得到所述载体电路中每个门的最坏老化延时；

对所述载体电路中每个门的初始延时和最坏老化延时进行路径约减得到所述载体电路的拟关键路径集；

其中，确定所述载体电路中晶体管阈值电压的最坏老化量，包括：

在所述载体电路中加入不同的工艺偏差、温度、电压，并进行动态仿真获取仿真数据集；

从所述仿真数据集中选取仿真数据对应的最坏晶体管阈值电压；

对所述最坏晶体管阈值电压对应的载体电路加入工艺偏差进行老化仿真得到最坏老化晶体管阈值电压；

根据所述最坏晶体管阈值电压、所述最坏老化晶体管阈值电压得到所述载体电路中晶体管阈值电压的最坏老化量；

其中，构建所述载体电路的门老化模型，包括：

获取所述载体电路中每个门在不同的上升/下降时间、负载和晶体管阈值电压下的延时数据集；

分别将所述延时数据集中的延时数据输入至神经网络模型进行训练得到所述载体电路的门老化模型。

2.根据权利要求1所述的回收芯片检测方法，其特征在于，通过所述检测电路对所述载体电路进行老化仿真，包括：

通过所述检测电路对加入工艺偏差的所述载体电路进行老化仿真。