[发明专利]一种键合结构及其制造方法

说明书

本申请实施例提供了一种键合结构及其制造方法，在待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于待键合芯片的侧边缘，在待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片，裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层时，利用待键合芯片中的封装垫层，将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层，以获得晶圆结构。该方法利用封装垫层将待键合芯片与待键合晶圆上的裸片键合形成晶圆结构，待键合芯片可以选择没有缺陷的产品，相较于晶圆与晶圆的键合，避免晶圆上有缺陷的芯片间的键合，提高产品的良率，进而降低制造成本。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种键合结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，3D-IC(三维集成电路)技术得到了广泛的应用，其是利用晶圆级封装技术将不同功能的晶圆堆叠键合在一起，该技术具有高性能、低成本且高集成度的优点。而随着集成电路功能及性能要求越来越高，对键合工艺都提出了更高的要求，现有的晶圆级封装已无法满足高良率和低成本的要求。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种键合结构及其制造方法，提高产品的良率，降低制造成本。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种键合结构的制造方法，包括：

提供待键合芯片，所述待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于所述待键合芯片的侧边缘；

提供待键合晶圆，所述待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片，所述裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层；

利用所述待键合芯片的封装垫层，将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层上，以获得晶圆结构。

可选的，所述待键合芯片为芯片堆叠，所述芯片堆叠中包括多个依次键合的芯片。

可选的，所述待键合芯片通过晶圆级测试；所述芯片堆叠的形成方法包括：

将分别形成有需键合的芯片的晶圆依次进行键合，以形成晶圆堆叠；

进行所述晶圆堆叠的晶圆级测试；

将所述晶圆堆叠进行切割，并暴露出所述待键合芯片的侧边缘的封装垫层，以获得芯片堆叠。

可选的，所述待键合芯片为多个。

可选的，所述待键合芯片为单层芯片，所述芯片通过晶圆级测试。

可选的，还包括：将所述晶圆结构进行切割，以获得独立的芯片结构；

将所述芯片结构进行封装。

可选的，所述裸片上还形成有引出衬垫；在进行封装之前，还包括：

从引出衬垫形成引出线。

本申请实施例提供了一种键合结构，包括：

待键合芯片，所述待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于所述待键合芯片的侧边缘；

待键合晶圆，所述待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片，所述裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层；

其中，所述待键合芯片的侧边缘的封装垫层键合至所述裸片表面的封装垫层。

可选的，所述待键合芯片为单层或键合形成的芯片堆叠，所述待键合芯片通过晶圆级测试。

本申请实施例提供了一种键合结构，包括：

待键合芯片，所述待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于所述待键合芯片的侧边缘；