[发明专利]一种SiO2有效

专利信息
申请号: 201911178505.6 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN111063770B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 罗荣煌;侯想;刘杨;钟梦洁;仇凯弘 申请(专利权)人: 福建中晶科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/46;H01L33/22
代理公司: 天津铂茂专利代理事务所(普通合伙) 12241 代理人: 张天翔
地址: 364000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 sio base sub
【说明书】:

发明公开了一种SiO2蓝宝石复合衬底,涉及LED生产领域,其包括图形化蓝宝石衬底,图形化蓝宝石衬底上涂覆有SiO2涂层,其制备步骤如下:步骤1,SiO2溶胶的制备,在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N‑N二甲基甲酰胺按照一定的摩尔比依次滴入,之后密封并在磁力搅拌机上搅拌3‑6h,然后静置陈化24‑36h。本方案在现有生产用蓝宝石衬底的基础上,通过采用溶胶凝胶法制备一层SiO2涂层,形成SiO2蓝宝石复合衬底,SiO2涂层有利于增加有源区中发射的光子的全反射机会,从而进一步使LED的出光效率提高,而且该涂层制备工艺简单,成本低,易与现有生产技术结合。

技术领域

本发明涉及LED生产领域,尤其涉及一种SiO2蓝宝石复合衬底。

背景技术

蓝宝石图形化衬底技术(简称PSS),是指在蓝宝石平面衬底上制备出周期性的图形化结构,是近年来发展起来的有效提高LED芯片出光效率的技术。图形化的界面改变了氮化镓(GaN)材料的生长过程,能减少GaN外延材料的位错密度,提高量子效率;另外,粗糙的GaN蓝宝石界面能散射从有源区发射的光子,使更多的光子有机会发生全反射,从而有效地提高了光的提取效率。PSS能提高LED出光效率30%左右,已经达到了理论值,因此如何在PSS的基础上提高 LED出光效率,成为该行业研究的重点。

有文献研究证明在PSS上溅射一层SiO2薄膜可以显著提高LED 出光效率,但是此方法成本高,工艺较为复杂,难以实现工业化生产。本发明制备的SiO2涂层,工艺简单,实用性强,可实现产业化。

发明内容

本发明的目的是针对现有的图形化蓝宝石衬底光提取效率低,而提出的一种SiO2蓝宝石复合衬底,能够进一步提高LED的出光效率,工艺简单,实用性强,可实现产业化。

为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:

一种SiO2蓝宝石复合衬底,包括图形化蓝宝石衬底,图形化蓝宝石衬底上涂覆有SiO2涂层,其制备步骤如下:

步骤1,SiO2溶胶的制备,在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N-N二甲基甲酰胺按照一定的摩尔比依次滴入,之后密封并在磁力搅拌机上搅拌 3-6h,然后静置陈化24-36h;

步骤2,SiO2溶胶的涂覆,将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上,以转速为2000-5000r/min转掉图形化蓝宝石片上的灰尘,接着滴入制备好的SiO2溶胶,使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶,然后,以转速为1000-2000r/min转动5-10s,使SiO2溶胶平铺均匀,之后再以2000-5000r/min的转速旋转15-30s;

步骤3,热处理,将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中,箱式电炉中的具体参数为:热处理温度为400-600℃,热处理时间为0.5h-2h,热处理气氛为空气,升温速率为2-5℃/min;

步骤4,清洗,将完成热处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后,即得到所述的SiO2蓝宝石复合衬底,SiO2涂层的厚度为100-300nm。

优选的,所述步骤1:在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570,N-N二甲基甲酰胺按照36:1:3:4.16×10-3:0.5:0.5摩尔比依次滴入,之后密封,并在磁力搅拌机上搅拌5h,然后静置陈化24h。

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