[发明专利]一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器

权利要求书

1.一种偏振光探测器，其特征在于，所述偏振光探测器依次包括重掺杂硅、二氧化硅绝缘层和二维材料碲化铟纳米片，采用光刻对二维材料碲化铟纳米片的两侧制作金属电极制得；所述碲化铟纳米片是将铟粉和碲粉混合后加热至480~520℃并保温，然后降温至460~480℃并保温，再冷却至室温，在不同温度下反应朝不同方向进行生长10~30天制得；所述铟粉和碲粉的摩尔比为1:2.5。

2.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，所述二氧化硅绝缘层的厚度为280~300nm；所述二维材料碲化铟纳米片的厚度为1~30nm。

3.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，所述金属电极为金或铂。

4.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，所述保温的时间均为24~48h。

5.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，所述降温至460~480℃的速率为1~2℃/h；所述冷却至室温的速率为5~10℃/h。

6.权利要求1-5任一项所述的偏振光探测器在可见-红外光探测或成像领域中的应用。