[发明专利]上电极组件以及等离子体处理设备

说明书

本申请实施例公开了一种上电极组件，安装基板与气体喷淋头之间设置有第一导热结构，以提高安装基板和气体喷淋头之间的热传导效果；而且，由于气体喷淋头包括主体部分和位于主体部分上的凸起部分，主体部分具有多个第一出气孔，凸起部分具有多个第二出气孔，第一出气孔和第二出气孔一一对应，第一出气孔和第二出气孔相连通构成出气孔，第二出气孔贯穿第一导热结构的第一通孔，并延伸至第一安装基板的第一通气孔中，从而在第一通气孔中通入的工艺气体经过第一导热结构时，第一导热结构上的微小颗粒需沿着凸起部分的侧壁和顶部之后沿出气孔才能被带到待处理基片上，因此，本申请上电极组件有利于降低所述微小颗粒对待处理基片产生污染。

技术领域

本申请涉及等离子体处理技术领域，尤其涉及一种上电极组件以及等离子体处理设备。

背景技术

随着等离子体处理技术的不断发展，使得应用该技术的等离子体处理设备也不断的改进，现已研发出来几种等离子体处理设备，如电容耦合等离子体(即CapacitivelyCoupled Plasma，CCP)处理设备、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)处理设备以及电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron Resonance，ECR)处理设备。其中，在利用电容耦合等离子体处理设备对待处理基片进行处理的过程中，安装基板与气体喷淋头的热传导效率低。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种上电极组件，以提高安装基板与气体喷淋头的热传导效率。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种上电极组件，包括：

安装基板，所述安装基板包括第一安装基板，所述第一安装基板具有多个第一通气孔；

第一导热结构，所述第一导热结构位于所述第一安装基板一侧，所述第一导热结构具有多个第一通孔，所述第一通孔与所述第一通气孔一一对应，且所述第一通孔与第一通气孔连通；

气体喷淋头，所述气体喷淋头位于所述第一导热结构背离所述安装基板一侧，所述气体喷淋头具有多个出气孔，所述出气孔与所述第一通气孔一一对应，且与其对应的第一通气孔相连通；

其中，所述气体喷淋头包括主体部分和位于所述主体部分上的凸起部分，所述凸起部分延伸至第一通气孔内，所述主体部分具有多个第一出气孔，所述凸起部分具有多个第二出气孔，所述第一出气孔和所述第二出气孔一一对应，所述第一出气孔和所述第二出气孔相连通构成所述出气孔。

可选的，所述第一安装基板的第一通气孔在预设平面内的正投影位于所述第一通孔在所述预设平面内的正投影内，其中，所述预设平面平行于所述气体喷淋头与所述第一安装基板相对的表面。

可选的，所述第一导热结构包括第一导热片以及位于所述第一导热片表面的导热涂层。

可选的，所述第一导热片为铝合金导热片，所述导热涂层为石墨涂层。

可选的，所述第一安装基板材料的热膨胀系数与所述气体喷淋头材料的热膨胀系数中的较大值为A，所述第一安装基板材料的热膨胀系数与所述气体喷淋头材料的热膨胀系数中的较小值为B，A与B的比值不大于2。

可选的，所述安装基板还包括第二安装基板，所述第二安装基板位于所述第一安装基板背离所述气体喷淋头一侧，所述第二安装基板中具有至少一个第二通气孔，所述第二通气孔与所述第一通气孔相连通。

可选的，还包括第二导热结构，所述第二导热结构位于所述第二安装基板和所述第一安装基板之间，所述第二导热结构包括一个第二通孔，所有第一通气孔在预设平面的正投影均位于所述第二通孔在所述预设平面的正投影内，其中，所述预设平面平行于所述气体喷淋头与所述第一安装基板相对的表面。