[发明专利]上电极组件以及等离子体处理设备

权利要求书

1.一种上电极组件，其特征在于，包括：

安装基板，所述安装基板包括第一安装基板，所述第一安装基板具有多个第一通气孔；

第一导热结构，所述第一导热结构位于所述第一安装基板一侧，所述第一导热结构具有多个第一通孔，所述第一通孔与所述第一通气孔一一对应，且所述第一通孔与第一通气孔连通；

气体喷淋头，所述气体喷淋头位于所述第一导热结构背离所述安装基板一侧，所述气体喷淋头具有多个出气孔，所述出气孔与所述第一通气孔一一对应，且与其对应的第一通气孔相连通；

其中，所述气体喷淋头包括主体部分和位于所述主体部分上的凸起部分，所述凸起部分延伸至第一通气孔内，所述主体部分具有多个第一出气孔，所述凸起部分具有多个第二出气孔，所述第一出气孔和所述第二出气孔一一对应，所述第一出气孔和所述第二出气孔相连通构成所述出气孔。

2.如权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述第一安装基板的第一通气孔在预设平面内的正投影位于所述第一通孔在所述预设平面内的正投影内，其中，所述预设平面平行于所述气体喷淋头与所述第一安装基板相对的表面。

3.如权利要求1或2所述的上电极组件，其特征在于，所述第一导热结构包括第一导热片以及位于所述第一导热片表面的导热涂层。

4.如权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述第一导热片为铝合金导热片，所述导热涂层为石墨涂层。

5.如权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述第一安装基板材料的热膨胀系数与所述气体喷淋头材料的热膨胀系数中的较大值为A，所述第一安装基板材料的热膨胀系数与所述气体喷淋头材料的热膨胀系数中的较小值为B，A与B的比值不大于2。

6.如权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述安装基板还包括第二安装基板，所述第二安装基板位于所述第一安装基板背离所述气体喷淋头一侧，所述第二安装基板中具有至少一个第二通气孔，所述第二通气孔与所述第一通气孔相连通。

7.如权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，还包括第二导热结构，所述第二导热结构位于所述第二安装基板和所述第一安装基板之间，所述第二导热结构包括一个第二通孔，所有第一通气孔在预设平面的正投影均位于所述第二通孔在所述预设平面的正投影内，其中，所述预设平面平行于所述气体喷淋头与所述第一安装基板相对的表面。

8.如权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述气体喷淋头的材料为单晶硅、铝合金或碳化硅，所述第一安装基板的材料为单晶硅、铝合金或碳化硅。

9.如权利要求8所述的上电极组件，其特征在于，当所述气体喷淋头为铝合金气体喷淋头或单晶硅气体喷淋头时，所述气体喷淋头背离所述第一安装基板一侧设置有涂层，所述涂层的材料为氧化钇或氟化钇。

10.如权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，还包括：

冷却水道，所述冷却水道设置在所述安装基板内，用于给所述安装基板降温；

温度检测器，所述温度检测器贯穿所述安装基板，并与所述气体喷淋头接触。

11.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：

反应腔；

位于所述反应腔内的上电极组件，所述上电极组件为权利要求1-10任一项所述的上电极组件；

位于所述反应腔内的基座，所述基座用于承载待处理基片，且所述基座与所述上电极组件中的气体喷淋头相对设置。