[发明专利]显示装置、显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201911153855.7 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN110767738B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 胡迎宾;赵策;王明;丁远奎;宋威;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
本公开是关于一种显示装置、显示面板及其制造方法,该显示面板包括衬底、导电层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层与走线层,导电层设于衬底的一侧;栅极绝缘层设于导电层远离衬底的一侧;栅极层设于栅极绝缘层远离衬底的一侧,且栅极层的厚度大于导电层的厚度;栅极层包括多个栅极线,栅极线形成有朝向衬底延伸且截断栅极线的凹槽,且凹槽与导电层正对,凹槽两侧断开的栅极线分别贯穿栅极绝缘层与导电层连接;层间介质层设于栅极层远离衬底的一侧,层间介质层覆盖导电层并填充凹槽;走线层设于层间介质层远离衬底的一侧,走线层包括多个辅助电极线,辅助电极线在栅极层的正投影与栅极线在凹槽相交,且相交部分在栅极层的正投影完全位于凹槽中。
技术领域
本公开涉及技术领域显示技术领域,具体而言,涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二级管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示面板由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、响应速度快、能耗小、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点,已被列为极具发展前景的下一代显示技术,被广泛应用于各种电子产品中。
目前,OLED显示面板分为顶发射和底发射两种结构,顶发射结构中,OLED显示面板发出的光从阴极方向透射出,所以顶发射OLED面板的阴极需要使用透明导电材料,但由于OLED阴极材料本身具有一定的电阻值,当OLED面板的尺寸较大时,OLED阴极材料本身的电阻会造成电压下降,导致面板显示亮度下降。
现有技术中,通常采用辅助阴极来降低阴极的电阻值,辅助阴极走线在薄膜晶体管的源漏极走线层完成,通常在源漏极走线层之上存在钝化层和平坦层,对钝化层与平坦层需进行开孔刻蚀,完成辅助阴极走线搭接。然而,在辅助阴极孔位置,其位置靠近栅极走线上方,导至孔内平坦层厚度不同。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示面板及其制造方法,与包括该显示面板的显示装置,能够提升平坦层的厚度均匀性,从而有效降避免出现对走线层造成刻蚀不良的现象。
根据本公开的一个方面,提供了一种显示面板,该显示面板包括:
衬底;
导电层,设于所述衬底的一侧;
栅极绝缘层,设于所述导电层远离所述衬底的一侧;
栅极层,设于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧,且所述栅极层的厚度大于所述导电层的厚度;所述栅极层包括多个栅极线,所述栅极线形成有朝向所述衬底延伸且截断所述栅极线的凹槽,且所述凹槽与导电层正对,所述凹槽两侧断开的所述栅极线分别贯穿所述栅极绝缘层与所述导电层连接;
层间介质层,设于所述栅极层远离所述衬底的一侧,层间介质层覆盖所述导电层并填充所述凹槽;
走线层,设于所述层间介质层远离所述衬底的一侧,所述走线层包括多个辅助电极线;所述辅助电极线在所述栅极层的正投影与所述栅极线在所述凹槽相交,且相交部分在所述栅极层的正投影完全位于所述凹槽中。
在本公开的一种示例性实施例中,所述导电层为遮光的导电材料。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
钝化层,设于所述层间介质层远离所述衬底的一侧,并覆盖所述导电层;
平坦层,设于所述钝化层远离所述衬底的一侧,且所述钝化层与所述平坦层上设有连通所述辅助电极线的过孔。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的