[发明专利]一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池有效
| 申请号： | 201911139613.2 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110911510B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张小宾;林凯文;王悦辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/078 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 结构 氮化物 太阳电池 | ||
1.一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，包括Si衬底，其特征在于：所述Si衬底为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在所述Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池；在所述Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池；所述GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接，所述GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，所述Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接；
所述GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNP/GaNAs超晶格子电池、Si子电池和GaNAs子电池的所有材料层的晶格常数与Si衬底保持一致；
所述GaNP子电池中GaNP材料的光学带隙为1.95-2.05eV，该子电池总厚度为1-3μm；
所述GaNAsP子电池中GaNAsP材料的光学带隙为1.65-1.75eV，该子电池总厚度为2-4μm；
所述GaNAs/GaNP超晶格子电池中GaNAs/GaNP超晶格材料的有效光学带隙为1.35-1.45eV，该子电池总厚度为2-4μm；
所述Si子电池中Si材料的光学带隙为1.12eV，该子电池总厚度为200-600μm；
所述GaNAs子电池中GaNAs材料的光学带隙为0.65-0.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
