[发明专利]存储设备及其操作方法

说明书

提供了存储设备及其操作方法。一种存储器控制器，其包括纠错码(ECC)模块，所述纠错码模块用于基于从用于执行片上谷搜索(OVS)读取操作的非易失性存储器设备接收的读取数据执行ECC解码。读取电压修改模块接收表示在所述非易失性存储器设备中包括的多个锁存器中锁存所述读取数据的锁存器的状态位，并且在成功执行所述ECC解码时基于所述状态位来确定是否改变读取电压，所述多个锁存器存储所述OVS读取操作的结果值。

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局中于2018年11月19日提交的韩国专利申请号10-2018-0142510的优先权，所述申请的公开内容通过引用以其全部内容并入本文。

技术领域

本公开涉及一种存储设备，并且更具体地涉及一种用于改变读取电压的存储设备及其操作方法。

背景技术

通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半导体来实现半导体存储器设备。半导体存储器设备可以分类成易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

另一方面，当要求半导体存储器设备具有高容量时，为了提高集成度，使用增加由单元存储的位数的多均衡方法以及减小电路线宽的缩放方法。随着由单元存储的位数的增加，阈值电压分布的重叠增加并且电路线宽减小。因此，相邻存储器单元之间的距离减小并且产生耦合。因此，可能会要求基于理想读取电压来正确读取数据。

发明内容

本公开提供了一种用于通过在片上谷搜索(on-chip valley search，OVS)读取操作期间使用状态位来估计阈值电压的分布移动的非易失性存储器设备及其操作方法。

本公开还提供了一种非易失性存储器设备及其操作方法，所述非易失性存储器设备用于尽管成功执行了纠错码(ECC)解码，还是基于所述阈值电压的分布移动来改变读取电压，所述阈值电压的分布移动通过使用所述状态位来估计。

根据本公开的一个方面，提供了一种存储设备，所述存储设备包括存储器控制器和非易失性存储器设备。所述非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；页面缓冲器，所述页面缓冲器包括多个锁存器，以用于对从所述多个存储器单元中选择的存储器单元执行多个感测操作，并且存储所述多个感测操作的结果值；控制逻辑，所述控制逻辑用于比较存储在所述多个锁存器中的每一个中的数据，根据所述数据的所述比较的结果来从所述多个锁存器中选择一个锁存器，将存储在所述选择的锁存器中的读取数据发送到所述存储器控制器，并且产生表示从所述多个锁存器中所选择的锁存器的状态位；以及状态位寄存器，所述状态位寄存器用于存储所述产生的状态位并且在从所述存储器控制器接收到状态读取命令时将所述状态位发送到所述存储器控制器。存储器控制器对发送的读取数据执行纠错码(ECC)解码，并且当成功执行ECC解码时，确定是否基于状态位来改变读取电压。

根据本公开的另一方面，提供了一种存储器控制器，所述存储器控制器包括ECC模块，以用于基于从执行OVS读取操作的非易失性存储器设备接收的读取数据来执行ECC解码；以及读取电压修改模块，所述读取电压修改模块用于接收表示包括在所述非易失性存储器设备中的多个锁存器中的锁存所述读取数据的锁存器的状态位，并且在成功执行所述ECC解码时基于所述状态位来确定是否改变读取电压，所述多个锁存器存储所述OVS读取操作的结果值。

根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器控制器的方法，所述方法包括从用于执行片上谷搜索OVS读取操作的非易失性存储器设备接收读取数据和表示多个锁存器中的输出所述读取数据的锁存器的状态位，基于所述读取数据执行ECC解码，并且当成功执行ECC解码时基于所述状态位来确定是否改变读取电压。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的实施例，其中：

图1是展示了根据本公开的示例性实施例的存储设备的框图；