[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中，所述半导体器件制造方法包括如下步骤：S1、在硅基片的正面开设需求数量的槽体；S2、将第一芯片、第二芯片的晶圆减薄到需求厚度；S3、将第一芯片、第二芯片分别固定于开设的槽体中；S4、在第一芯片、第二芯片表层的阻焊层上设置焊点；S5、将硅基片的背面进行减薄，再第三芯片以倒装方式焊接于设置的焊点上。本发明的半导体器件制造方法中，将第一芯片和第二芯片通过硅基片进行封装，并通过倒装方式实现第三芯片与第一芯片和第二芯片之间互连，最终封装厚度小于600um，实现了超薄、更小体积的封装，且实现三维互连，信号传输距离更远、更快。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

图像传感器是利用光电器件的光电转换功能。将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。与光敏二极管，光敏三极管等“点”光源的光敏元件相比，图像传感器是将其受光面上的光像，分成许多小单元，将其转换成可用的电信号的一种功能器件。

与图像传感技术相关的芯片包括：CMOS芯片、ISP芯片和DDR芯片。目前，图像传感器封装是将CMOS芯片，ISP芯片和DDR芯片平放在PCB 板上。然而，上述封装方式中通过打线方式将信号引出，该传统的图像传感器的封装方式存在封装体积大且封装厚度厚的问题。因此，针对如上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体器件及其制造方法，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种半导体器件制造方法，其包括如下步骤：

S1、在硅基片的正面开设需求数量的槽体；

S2、将第一芯片、第二芯片的晶圆减薄到需求厚度；

S3、将第一芯片、第二芯片分别固定于开设的槽体中；

S4、在第一芯片、第二芯片表层的阻焊层上设置焊点；

S5、将硅基片的背面进行减薄，再第三芯片以倒装方式焊接于设置的焊点上。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述步骤S2具体包括：先将第一芯片、第二芯片的晶圆减薄到需求厚度，再将减薄后的晶圆切割形成单颗芯片。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述步骤S2具体包括：先切割形成单颗芯片，再对单颗第一芯片、第二芯片的晶圆减薄到需求厚度。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述步骤S3中，将第一芯片、第二芯片通过粘胶方式粘接于所在槽体的底面。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述步骤S3中，在所述第一芯片、第二芯片的表面及第一芯片、第二芯片与槽体之间的间隙形成钝化层，同时在钝化层上形成芯片的焊接位置。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述步骤S3和S4之间，还包括：通过重布线的方式，将第一芯片和第二芯片的信号引出。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述重布线的方式为金属重布线，其包括：在第一芯片和第二芯片的焊接位置沉积一层种子层，再光刻出线路，然后将金属线路加厚至要求的厚度。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述重布线的方式为多层金属重布线，其包括：在第一芯片和第二芯片的焊接位置逐层沉积种子层，在沉积的同时光刻出线路，在最后一层线路上采用化镀方式形成保护层。

作为本发明的半导体器件制造方法的制造方法，所述半导体器件制造方法还包括：

S6、将步骤S5得到的产品切割，得到单颗封装体，将所述单颗封装体通过打线方式焊接到PCB板上。