[发明专利]一种压电式MEMS声传感器

权利要求书

1.一种压电式MEMS声传感器，包括基底（1）、内部电极区（13）及外部电极区（12），外部电极区（12）位于内部电极区（13）的外围，其特征在于，所述内部电极区（13）与外部电极区（12）均包括由上至下层叠的顶电极、上压电层（4）、中间电极、下压电层（3）和底电极；内部电极区（13）中的顶电极、中间电极和底电极与外部电极区（12）中的顶电极、中间电极和底电极彼此间隔；在基底的顶部设置有下支撑层（2），内部电极区（13）及外部电极区（12）均位于下支撑层（2）上，在内部电极区（13）及外部电极区（12）的顶面均设置有上支撑层（5）；

内部电极区（13）、外部电极区（12）以及内部电极区（13）、外部电极区（12）所在区域的上支撑层（5）和下支撑层（2）均向同一方向产生应力形变，所述应力形变在支撑层顶面形成凸起或内凹面。

2.根据权利要求1所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：所述凸起呈弧形。

3.根据权利要求1所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：上压电层（4）与下压电层（3）对称分布在中间电极两侧。

4.根据权利要求3所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：上压电层（4）与下压电层（3）均由压电材料制备成相同厚度的压电层。

5.根据权利要求4所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：所述压电材料为锆钛酸铅、氮化铝、氧化锌或掺钪氮化铝材料。

6.根据权利要求5所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：所述掺钪氮化铝材料为ScxAl1-xN。

7.根据权利要求1-2任意一项所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：上支撑层（5）与下支撑层（2）相对于中间电极呈对称分布。

8.根据权利要求7所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：在上支撑层（5）表面开设有分别用于连接顶电极、中间电极及底电极的电极连接槽，所述电极连接槽位于内部电极区（13）、外部电极区（12）所占上支撑层（5）之外。

9.根据权利要求8 所述的一种压电式MEMS声传感器，其特征在于：所述电极连接槽分布于上支撑层（5）的周向方向。